[实用新型]加热腔室以及半导体加工设备有效
申请号: | 201320891017.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203721689U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 贾强 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 以及 半导体 加工 设备 | ||
1.一种加热腔室,包括平台、腔室连接板和加热单元,所述平台和腔室连接板均为环体结构,且所述腔室连接板嵌套在所述平台内,并由所述平台支撑,并且在所述平台和腔室连接板之间设置有第一密封圈,用于对二者之间的间隙进行密封;所述加热单元用于向所述腔室连接板的内部空间提供热量;在所述腔室连接板内还设置有冷却通道,用于通过通入冷却水冷却所述腔室连接板;其特征在于,在所述腔室连接板内设置有环绕其内周壁的环形凹槽,且所述环形凹槽位于所述第一密封圈与所述腔室连接板的内周壁之间。
2.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,所述环形凹槽与所述腔室连接板的内部空间相连通。
3.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,在所述腔室连接板的内周壁上设置有隔热板,用于阻挡所述腔室连接板直接吸收热量。
4.根据权利要求3所述的加热腔室,其特征在于,所述隔热板的数量为一个或多个,且多个隔热板沿所述腔室连接板的内周壁的径向叠置或者间隔设置。
5.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,所述冷却通道位于靠近所述腔室连接板的内周壁的位置处,以使由该内周壁吸收的热量到达所述冷却通道的传递距离大于到达所述第一密封圈的传递距离。
6.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,所述环形凹槽在所述腔室连接板的轴向截面上的投影形状为长条形,且所述长条形的长度方向平行于所述腔室连接板的轴向。
7.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,所述加热腔室还包括石英窗,所述石英窗设置在所述腔室连接板的顶部,并且在所述石英窗与所述腔室连接板之间设置有第二密封圈,用于对二者之间的间隙进行密封;
所述加热单元包括加热灯,所述加热灯设置在所述石英窗的上方,用以采用热辐射的方式透过所述石英窗向所述腔室连接板的内部空间辐射热量。
8.根据权利要求7所述的加热腔室,其特征在于,所述冷却通道位于靠近所述第二密封圈的位置处。
9.一种半导体加工设备,包括加热腔室,用于对被加工工件进行加热,其特征在于,所述加热腔室采用权利要求1-8任意一项所述的加热腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造