[实用新型]一种薄膜封装系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及器件的封装设备，具体涉及一种薄膜封装系统。

背景技术

电子器件尤其是有机电子器件对空气中的水汽和氧气特别敏感，因此需要对有机器件进行封装以保证器件的性能和使用寿命。目前柔性有机电子器件封装主要方法，是直接在器件表面制作阻挡水氧渗透性能优异的柔性薄膜结构。由于柔性的聚合物膜阻挡水氧渗透能力非常有限，而致密无针孔的无机膜阻挡水氧能力虽较高但达到一定厚度时则表现为刚性结构且易碎裂，因而目前国际上绝大多数的柔性封装研究都是基于有机/无机多层膜交替复合结构的Barix^TM封装技术开展的。实现有机/无机交替结构的主要方法有：（1）PECVD方法，如中科院苏州纳米所采用PECVD方法，通过改变沉积过程中工艺气体组分，从而沉积无明显界面的有机/无机交替结构；（2）ALD方法，如BENEQ公司采用ALD方法沉积Al₂O₃/ZrO₂多层膜，实现有机电子器件的封装。上述两种方法中，PECVD的方法薄膜沉积速度较快，但由于PECVD方法基于岛状生长，岛边界等处就会存在缺陷，因此沉积的无机薄膜的质量相对较差；ALD的方法基于原子层式生长，生长无缺陷，虽能沉积高质量的无机薄膜，但沉积速度太慢，一般不超过2nm/min，且ALD方法制备的Al₂O₃/ZrO₂等多层膜由于Al₂O₃和ZrO₂都是无机薄膜，厚度一定时就呈现出刚性，所以严格意义上不属于柔性封装。因此，需要一种PECVD设备，可以高效、高质量、柔性薄膜封装成为制约有机电子器件发展的最主要瓶颈。

实用新型内容

为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种薄膜封装系统，该系统同时具有PECVD气路输入部分和ALD气路输入部分，使本实用新型兼具PECVD设备可快速沉积的优势以及ALD设备可沉积高质量薄膜的优势，实现了快速沉积较高质量的薄膜。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种薄膜封装系统，包括工艺气体输入部分、沉积腔室、ICP等离子体电源和基片台，所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分，所述基片台设置在沉积腔室内，所述ICP等离子体电源设置在沉积腔室顶部。

在上述技术方案中，所述PECVD工艺气体输入部分包括前驱体的输入气路、反应气体输入气路、辅助气体输入气路，所述前驱体输入气路和反应气体输入气路都分别与沉积腔室连接，所述辅助气体输入气路与ICP等离子体电源连接。

在上述技术方案中，所述ALD工艺气体输入部分包括前驱体输入气路、反应气体输入气路、吹扫气体输入气路，所述前驱体输入气路、反应气体输入气路和吹扫气体输入气路分别连接沉积腔室。。

在上述技术方案中，所述基片台为可加热基片台。

本实用新型通过PECVD工艺气体输入部分进行快速沉积薄膜的功能层，由于PECVD方法通过岛状沉积模式形成功能层，岛边界等处容易存在缺陷，而使用ALD工艺气体输入部分进行原子层式生长，可填补岛状沉积中各岛边缘的凹陷，弥补岛状沉积的缺陷，实现了快速沉积较高质量薄膜。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的薄膜封装系统示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案进行详细描述。

参见图1，一种薄膜封装系统，包括工艺气体输入部分、沉积腔室9、ICP等离子体电源5和基片台6，工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室9连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分，基片台6设置在沉积腔室9内。