[实用新型]载波信号整形电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电能表技术领域，具体讲一种载波信号整形电路。

背景技术

现有技术的载波信号电路由上拉电阻R1、光电耦合器E1和三极管V1组成，所述的光电耦合器分别与电阻R1、三极管V1连接。上述结构的载波信号电路在实际的工作过程中存在以下不足：受上拉电阻R1阻值的影响，使得光电耦合器从导通到截止的时间较长，即PLCRXD信号上升沿较长，但由于PLCRXD信号为高速信号，因此必然会导致信号严重失真。另外，由于光电耦合器E1受环境温度的影响较大，因此必将会使得该信号失真程度更加严重。所以，基于上述原因，亟待需要一种受上拉电阻以及环境温度影响小的载波信号整形电路，以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，克服以上现有技术的缺陷，提供受上拉电阻以及环境温度影响小的载波信号整形电路。

本实用新型的技术方案是，提供一种载波信号整形电路，包括上拉电阻R1、光电耦合器E1和三极管V1，所述电阻R1的一端与电源端VDD端连接，所述电阻R1的另一端与光电耦合器E1的输入端连接；所述的载波信号整形电路还包括一整形电路，所述整形电路的输入端与光电耦合器E1的输出端连接，所述整形电路的输出端与三极管V1连接。

所述的整形电路包括电阻R2、R3和电容C1，所述电容C1的一端与电阻R2的一端、电阻R3的一端连接，作为整形电路的输入端连接；所述电容C1的另一端与电阻R2的另一端连接，作为整形电路的输出端连接；所述电阻R3的另一端与三极管V1的e极连接。

采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

本实用新型载波信号整形电路通过在光电耦合器后面增加整形电路，该电路使得光电耦合器工作在线性放大区域，同时电容C1也能加快三极管V1的导通和截止的速度，能显著改善输出信号的上升沿和下降沿，使得改进后的信号上升沿和下降沿的时间较短，从而降低了信号的失真度。另外，由于时间较短，因此也降低了光电耦合器E1受环境温度影响的程度。

附图说明

图1是本实用新型载波信号整形电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，本实用新型一种载波信号整形电路，包括上拉电阻R1、光电耦合器E1和三极管V1，所述电阻R1的一端与电源端VDD端连接，所述电阻R1的另一端与光电耦合器E1的输入端连接，光电耦合器E1的输入端1脚与电阻R1的另一端连接，光电耦合器E1的输入端2脚作为PLCRXD信号输入端；所述的载波信号整形电路还包括一整形电路，所述整形电路的输入端与光电耦合器E1的输出端连接，所述整形电路的输出端与三极管V1连接。

所述的整形电路包括电阻R2、R3和电容C1，所述电容C1的一端与电阻R2的一端、电阻R3的一端连接，作为整形电路的输入端连接；所述电容C1的另一端与电阻R2的另一端连接，作为整形电路的输出端连接；所述电阻R3的另一端与三极管V1的e极连接。

光电耦合器E1的输出端4脚与PLC_5V脚连接，用以提供5V电源；光电耦合器E1的输出端3脚与电容C1的一端连接；电容C1的另一端与三极管V1的b极连接；三极管V1的c极为PLCRXD端。

以上仅就本实用新型的最佳实施例作了说明，但不能理解为是对权利要求的限制。本实用新型不仅限于以上实施例，其具体结构允许有变化。但凡在本实用新型独立权利要求的保护范围内所作的各种变化均在本实用新型的保护范围内。