[实用新型]一种抗单粒子效应的电流镜

权利要求书

1.一种抗单粒子效应的电流镜，包括有第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其中，所述的第一NMOS管M1的栅极和第二NMOS管M2的栅极相连，第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的源极接地，第一NMOS管M1的漏极连接所述该第一NMOS管M1的栅极以及连接基准电流Iref，其特征在于，所述的第二NMOS管M2的漏极分别连接负载（C）和用于消除单粒子效应对负载（C）影响的辅助电路（B）。

2.根据权利要求1所述的一种抗单粒子效应的电流镜，其特征在于，所述的辅助电路（B）包括有第一PMOS管M4、第二PMOS管M5和第三NMOS管M3，所述第一PMOS管M4的漏极连接第二NMOS管M2的漏极，第一PMOS管M4的源极和第二PMOS管M5的源级接电源VDD，第一PMOS管M4的栅极与第二PMOS管M5的栅极相连，第二PMOS管M5的漏极连接该第二PMOS管M5的栅极，第二PMOS管M5的漏极还连接第三NMOS管M3的漏极，第三NMOS管M3的源极和栅极均接地。

3.根据权利要求2所述的一种抗单粒子效应的电流镜，其特征在于，所述的辅助电路的第三NMOS管M3与第二NMOS管M2尺寸相同，且版图设计使用共质心布局，并使第三NMOS管M3与第二NMOS管M2的漏极相接近。