[实用新型]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，自下至上依次包括：衬底、背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、i-ZnO层、透明窗口层、减反射层和栅线电极，其特征在于：所述衬底位于背电极一面的均方根粗糙度为80-120nm、所述背电极的两面均方根粗糙度均与位于衬底一面的背电极均方根粗糙度相同、所述铜铟镓硒吸收层与背电极接触的面与背电极面的均方根粗糙度相同、铜铟镓硒吸收层另一面均方根粗糙度为20nm以下，铜铟镓硒吸收层最厚部分的厚度为≤1μm。

2.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，其特征在于：所述背电极为双层Mo结构，背电极最厚部分的厚度为600nm。

3.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，其特征在于：所述缓冲层为50nm厚的CdS层；所述i-ZnO层的厚度为50nm；所述透明窗口层为350nm厚的ZnO:Al层；所述减反射层为100nm厚的MgF₂层；所述栅线电极为2μm厚的Ni-Al。