[发明专利]一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块有效
申请号: | 201380000719.9 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103650386B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 周敏;王磊;廖振兴;林华枫 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H04B10/2507 | 分类号: | H04B10/2507;H04B10/50;H04B10/60 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 装置 发射机 接收机 模块 | ||
1.一种增强消光比的装置,其特征在于,应用于光模块中,所述装置包括:由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件,用于让光信号通过。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:能量密度控制器,用于使得所述光信号在通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件之前调节光信号的能量密度,在通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件之后反向调节光信号的能量密度。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,
所述能量密度控制器包括:两个会聚透镜,所述两个会聚透镜分别设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件两端;或者,
所述能量密度控制器包括:第一波导,所述第一波导包括:包层、直线型导波层,所述直线型导波层的波导两端为向中间呈会聚状或向中间呈发散状,所述具有可饱和吸收效应的材料构成的器件位于所述直线型导波层的横截面处;或者,
所述能量密度控制器包括:第二波导,所述第二波导包括:包层、锯齿型导波层,所述锯齿型导波层的波导两端为向中间呈会聚状或向中间呈发散状,所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件至少位于所述锯齿型波导层的齿尖所指向的两侧。
4.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:调制深度控制器,用于使得所述光信号经过所述调制深度控制器和具有可饱和吸收效应的材料构成的器件后,调制深度得以提高。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述调制深度控制器具有使所述光信号多次通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的结构。
6.根据权利要求4或5所述的装置,其特征在于,在所述能量密度控制器包括两个会聚透镜,或者,包括第一波导的情况下,所述调制深度控制器包括:两个FP部分反射部件,所述FP部分反射部件分别设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件两端。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,在所述能量密度控制器包括两个会聚透镜的情况下,所述FP部分反射部件为FP部分反射膜;
所述FP部分反射膜镀在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的端面上,或者,镀在所述会聚透镜的外侧端面上。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,在所述能量密度控制器包括第一波导的情况下,所述FP部分反射部件为FP部分反射膜;
所述FP部分反射膜镀在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的端面上,或者,镀在膜片上并插入导波层中。
9.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,在所述能量密度控制器包括第二波导的情况下,所述调制深度控制器包括:全反射部件,所述全反射部件设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的外侧。
10.根据权利要求1-9任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:消光比提升性能监控装置,用于监测由环境因素或器件性能因素引起的消光比提升性能的变化,并根据所述消光比提升性能的变化调节所述装置。
11.一种光发射机,其特征在于,所述光发射机包括:激光器和上述权利要求1-10任一项所述的增强消光比的装置。
12.一种光接收机,其特征在于,所述光接收机包括:光电转换装置和上述权利要求1-10任一项所述的增强消光比的装置。
13.一种光模块,其特征在于,所述光模块包括:光发射机和光接收机,其中,所述光发射机包括:激光器;所述光接收机包括:光电转换装置;所述光发射机和/或所述光接收机还包括上述权利要求1-10任一项所述的增强消光比的装置。
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