[发明专利]铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明为关于铜微蚀刻剂及其补给液、以及配线基板的制造方法。

背景技术

于印刷电路基板之制造中，在以蚀刻阻剂或防焊剂等被覆铜表面时，为了提升密着性会进行将铜表面粗化。而作为粗化之方法，已知以下述专利文献1所述的包含特定高分子化合物之微蚀刻剂，与下述专利文献2所述的包含特定有机酸之微蚀刻剂，来粗化铜表面之方法。依据这些粗化方法，因在铜表面形成深凹凸，故可提升与防焊剂等的密着性。

［先前技术文献］

〔专利文献〕

专利文献1日本特开平9-41162号公报

专利文献2日本特开平9-41163号公报

发明内容

技术问题

近年来，印刷电路基板的铜配线之窄间距化(微细配线化)正急速发展，当为了提升与防焊剂等的密着性之目的而使用微蚀刻剂将铜配线表面粗化时，取决于蚀刻量恐有铜配线的宽度变窄而造成高电阻化与断线等缺陷产生。因此，要求开发即便是低蚀刻量也能维持与防焊剂等的密着性之微蚀刻剂。其中，「蚀刻量」为指深度方向的平均蚀刻量(溶解量)，为从以微蚀刻剂所溶解之铜的重量、比重及铜表面的正面投影面积所算出之值。以下的「蚀刻量」也是一样。

记载于所述专利文献1及专利文献2中的微蚀刻剂为藉由在铜表面形成深的凹凸来提升密着性。因此，为了维持与防焊剂等树脂的密着性，必须要有一定程度的蚀刻量(例如1.5μm以上)。因此，对于需要微细配线之印刷电路基板，有可能会变得难以抑制铜配线的高电阻化。

本发明为有鉴于所述之过去技术上的问题点而完成，提供即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性之微蚀刻剂，及添加至此微蚀刻剂之补给液，以及使用所述微蚀刻剂之配线基板的制造方法。

技术方案

本发明之铜微蚀刻剂为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17～400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂，在将所述含有胺基之化合物的浓度设为A重量%，所述聚合物的浓度设为B重量%时，A/B的值为50～6000。

本发明之配线基板的制造方法为制造包含铜层之配线基板的配线基板的制造方法，具有藉由让所述本发明之微蚀刻剂接触所述铜层表面，来对所述表面进行粗化之粗化处理步骤。

本发明之补给液为在所述本发明的制造方法中，添加进所述微蚀刻剂之补给液，为由包含有机酸、卤化物离子、含有分子量为17～400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。

此外，所述本发明中的「铜」不仅是由铜所构成之物，也可是由铜合金所构成之物。另外，本说明书中的「铜」为指铜或铜合金。另外，所述本发明中的「铜层」也包含铜配线图案层。

发明效果

依据本发明，因能在铜层表面形成独特的细致的凹凸，故即使是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。藉此，在应用于例如需要微细配线之印刷电路基板的防焊剂被覆步骤之前处理的情形，可抑制铜配线的高电阻化与断线。

附图说明

图1为焊锡耐热性试验中，评价结果◎的试验片之表面相片。

图2为焊锡耐热性试验中，评价结果○的试验片之表面相片。

图3为焊锡耐热性试验中，评价结果×的试验片之表面相片。

图4为经过以一实施例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔表面的扫描式电子显微镜相片(拍摄角度45°，倍率3500倍)。

图5为经过以一实施例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔表面的扫描式电子显微镜相片(拍摄角度为正上方，倍率3500倍)。

图6为经过以一实施例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔剖面的扫描式电子显微镜相片(倍率10000倍)。

图7为经过以比较例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔表面的扫描式电子显微镜相片(拍摄角度45°，倍率3500倍)。

图8为经过以一实施例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔表面的扫描式电子显微镜相片(拍摄角度45°，倍率10000倍)。

图9为经过以一实施例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔表面的扫描式电子显微镜相片(拍摄角度45°，倍率10000倍)。

图10为经过以一实施例之微蚀刻剂进行粗化处理之铜箔表面的扫描式电子显微镜相片(拍摄角度45°，倍率10000倍)。