[发明专利]有机EL元件及其制造方法有效
申请号: | 201380000959.9 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103460430A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 稻田安寿;平泽拓;若林信一;山名正人 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H05B33/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机EL元件,
具备:
反射电极;
透明电极,对置于上述反射电极而设置;
发光层,设在上述反射电极与上述透明电极之间;以及
低折射率层,设在上述反射电极与上述发光层之间;
上述低折射率层具有对电子或空穴进行输送或注入的功能,并且折射率比上述发光层的折射率低;
上述反射电极的表面与上述发光层的中心发光位置之间的距离在300nm以下;
上述反射电极由Al形成;
将由上述发光层产生的光的中心发光波长设为λ,
将以上述发光层的折射率为基准时的上述低折射率层与上述发光层之间的折射率差设为Δn,
将上述低折射率层的厚度设为d,
Δn×d/λ≦-0.009。
2.一种有机EL元件,
具备:
反射电极;
透明电极,对置于上述反射电极而设置;
发光层,设在上述反射电极与上述透明电极之间;以及
低折射率层,设在上述反射电极与上述发光层之间;
上述低折射率层具有对电子或空穴进行输送或注入的功能,并且折射率比上述发光层的折射率低;
上述反射电极的表面与上述发光层的中心发光位置之间的距离在300nm以下;
上述反射电极由Ag形成;
将由上述发光层产生的光的中心发光波长设为λ,
将以上述发光层的折射率为基准时的上述低折射率层与上述发光层之间的折射率差设为Δn,
将上述低折射率层的厚度设为d,
Δn×d/λ≦-0.02。
3.如权利要求1或2所述的有机EL元件,
还在上述反射电极与上述低折射率层之间具备对电子或空穴进行注入或输送的有机层。
4.如权利要求1~3中任一项所述的有机EL元件,
上述低折射率层与上述发光层相接。
5.如权利要求1~4中任一项所述的有机EL元件,
在该有机EL元件的折射率发生变化的界面处,具备衍射光栅、光扩散层、微透镜、以及棱锥结构中的某一个。
6.如权利要求1~5中任一项所述的有机EL元件,
上述低折射率层由具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的材料、和混合在该材料中的纳米粒子构成。
7.如权利要求1~5中任一项所述的有机EL元件,
上述低折射率层包括:由纳米粒子构成的纳米粒子层、和层叠在该纳米粒子层之上的由具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的材料构成的功能层。
8.如权利要求1~5中任一项所述的有机EL元件,
上述低折射率层包括:分别具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的两个功能层、和形成在该两个功能层之间的由纳米粒子构成的纳米粒子层。
9.如权利要求6~8中任一项所述的有机EL元件,
上述纳米粒子的粒径在上述低折射率层的膜厚以下。
10.如权利要求6~9中任一项所述的有机EL元件,
上述纳米粒子是多孔粒子。
11.如权利要求6~10中任一项所述的有机EL元件,
上述纳米粒子的折射率在1.5以下。
12.一种有机EL元件的制造方法,
包括以下工序:
形成反射电极的工序;
在上述反射电极之上形成含有纳米粒子的低折射率层的工序;
在上述低折射率层之上形成发光层的工序;以及
在上述发光层之上形成透明电极的工序;
上述低折射率层具有对电子或空穴进行输送或注入的功能,并且折射率比上述发光层的折射率低。
13.如权利要求12所述的有机EL元件的制造方法,
在形成上述低折射率层的工序中,通过在具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的材料中混合纳米粒子而形成上述低折射率层。
14.如权利要求12所述的有机EL元件的制造方法,
形成上述低折射率层的工序包括以下工序:
形成由纳米粒子构成的纳米粒子层的工序;以及
在上述纳米粒子层之上形成由具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的材料构成的功能层的工序。
15.如权利要求12所述的有机EL元件的制造方法,
形成上述低折射率层的工序包括以下工序:
形成由具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的材料构成的第1功能层的工序;
在上述第1功能层之上形成由纳米粒子构成的纳米粒子层的工序;以及
在上述纳米粒子层之上形成由具有对电子或空穴进行输送或注入的功能的材料构成的第2功能层的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380000959.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择