[发明专利]氮化物半导体发光装置

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光装置，其特征在于，包括：

具有射出偏振光，以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和

使来自所述有源层的光透过的透光性罩，

所述透光性罩具有：

在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和

配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，

所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述第一透光性部件包括透光性部件和由折射率与所述透光性部件的折射率不同的材料形成的多个颗粒。

3.如权利要求2所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述第一透光性部件包含0.2重量%以上且15重量%以下的所述多个颗粒。

4.一种氮化物半导体发光装置，其特征在于，包括：

具有射出偏振光且以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和

在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向，使来自所述有源层的光透过的第一透光性部件，

所述第一透光性部件包含透光性基材和多个颗粒，

所述颗粒具有与所述透光性基材不同的折射率，

所述第一透光性部件包含0.2重量%以上且15重量%以下的所述多个颗粒。

5.如权利要求2～4中任一项所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

在与所述生长面平行的俯视图中，定义在所述偏振方向具有短轴，在与所述偏振方向垂直的方向具有长轴，以所述氮化物半导体发光芯片的重心为中心的椭圆形，使所述长轴的长半径为由下述数学式1表示的α，使所述短轴的短半径为由下述数学式2表示的β，

在使所述第一透光性部件的吸收系数为A[cm^-1]、使所述氮化物半导体发光芯片的一边的长度为L的情况下，

所述第一透光性部件之中至少位于所述椭圆形的内部的部分存在所述多个颗粒，

数学式1：α＝2.3/A＋L/2

数学式2：β＝α/2＝（2.3/A＋L/2）/2。

6.如权利要求2～5中任一项所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述多个颗粒的重量浓度为0.2重量%以上且3.0重量%以下。

7.如权利要求2～5中任一项所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述多个颗粒的重量浓度为0.7重量%以上且3.0重量%以下。

8.如权利要求2～7中任一项所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述多个颗粒的平均粒径为10nm以上且3000nm以下。

9.如权利要求2～8中任一项所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述多个颗粒由选自TiO₂、SiO₂、ZrO₂、Nb₂O₅、ZnO、Al₂O₃和AlN中的至少一种材料形成。

10.如权利要求1～9中任一项所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述氮化物半导体发光芯片具备：作为上表面的第一光取出面；和作为侧面且与所述偏振光的偏振方向平行的第二光取出面，

所述第二光取出面与所述第一透光性部件相接或隔着其它部件或空间而与所述第一透光性部件相对。

11.如权利要求10所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述第二光取出面的面积相对于所述第一光取出面的面积所占的比例为40%以上。

12.如权利要求10或11所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

在所述第一光取出面形成有多个凹凸。

13.如权利要求12所述的氮化物半导体发光装置，其特征在于：

所述多个凹凸由半球形状的凸部或凹部构成。