[发明专利]单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层，在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层，该单晶硅提拉用二氧化硅容器其特征在于，

上述透明层，位于上述二氧化硅容器的内表面侧，并由以200～2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成，

上述高OH基层，以50～2000massppm的浓度含有Ba。

2.根据权利要求1所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其特征在于，

上述高OH基层的厚度是0.5mm以上且3mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其特征在于，

上述高OH基层，以100～1000massppm的浓度含有Ba，且以300～1500massppm的浓度含有OH基。

4.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，包括：

制作二氧化硅粉作为第一原料粉的工序，该二氧化硅粉的粒径是10～1000μm；

制作二氧化硅粉作为第二原料粉的工序，该二氧化硅粉的粒径是10～1000μm，且以50～2000massppm的浓度含有Ba；

制作临时成形体的工序，该工序将上述第一原料粉投入模框内，并一边使该模框旋转一边临时成形为与该模框的内壁相应的规定形状而制作临时成形体；

制成二氧化硅基体的工序，该工序一边使上述模框内的临时成形体旋转一边通过放电加热熔化法将上述临时成形体加热熔化，而将内侧做成由透明二氧化硅玻璃构成的第一透明层并将外侧做成由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层，而制成二氧化硅基体；

制作二氧化硅容器的工序，该工序将上述二氧化硅基体的内侧设成含水蒸气的气体气氛，并将上述第二原料粉一边在上述二氧化硅基体的内侧撒布一边通过放电加热熔化法进行加热熔化，而在上述第一透明层上形成由浓度高于上述第一透明层地含有Ba和OH基的透明二氧化硅玻璃构成的第二透明层，而制作在内侧具有由上述第一透明层和第二透明层构成的透明层且在外侧具有不透明层的二氧化硅容器；以及

冷却工序，该工序将上述所制作的二氧化硅容器冷却至室温，

在上述第二透明层的至少内表面侧的区域中，将OH基浓度设成200～2000massppm。

5.根据权利要求4所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，

在上述冷却工序中，将上述二氧化硅容器的内侧设成含水蒸气的气体气氛直至温度至少降低到200℃以下为止。

6.根据权利要求4或5所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，

一边通过从上述临时成形体的外侧进行减压而将该临时成形体所含的气体成分脱气一边进行将上述临时成形体加热熔化的工序。