[发明专利]单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层，在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层，该单晶硅提拉用二氧化硅容器其特征在于，

上述透明层，位于上述二氧化硅容器的内表面侧，并由以200～2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成，

在上述高OH基层的内表面以25～1000μg/cm²的浓度涂布有Ba。

2.根据权利要求1所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其特征在于，

上述高OH基层的厚度是0.5mm以上且3mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器，其特征在于，

上述高OH基层所含有的OH基的浓度为300～1500massppm的浓度，

涂布于上述高OH基层的内表面的Ba的浓度为60～500μg/cm²。

4.一种单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，包括：

制作二氧化硅粉作为原料粉的工序，该二氧化硅粉的粒径是10～1000μm；

制作临时成形体的工序，该工序将上述原料粉投入模框内，并一边使该模框旋转一边临时成形为与该模框的内壁相应的规定形状而制作临时成形体；

制作二氧化硅容器的工序，该工序一边使上述模框内的临时成形体旋转并从外侧对该临时成形体进行减压，而使该临时成形体所含的气体成分脱气，一边通过放电加热熔化法加热熔化上述临时成形体，而将内侧做成由透明二氧化硅玻璃构成的透明层并将外侧做成由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层，而制作二氧化硅容器；

提高内表面侧的OH基浓度的工序，该工序通过将含水蒸气的气体导入上述所制作的二氧化硅容器的内侧，并在含有该水蒸气的气体气氛下继续加热，而提高上述透明层中内表面侧的OH基浓度；

冷却工序，该工序将已在上述含水蒸气的气体气氛下进行了加热的二氧化硅容器冷却至室温；以及

涂布工序，该工序通过在上述已冷却的二氧化硅容器的透明层的内表面涂布Ba化合物并使该Ba化合物干燥，而在上述透明层的内表面以25～1000μg/cm²的浓度涂布Ba，

通过上述含水蒸气的气体气氛下的加热以及上述冷却，在上述透明层的内表面侧的区域中，将OH基浓度设成200～2000massppm。

5.根据权利要求4所述的单晶硅提拉用二氧化硅容器的制造方法，其特征在于，

在上述冷却工序中，将上述二氧化硅容器的内侧设成含水蒸气的气体气氛直至温度至少降低到200℃以下为止。