[发明专利]偏光薄膜、图像显示装置、以及偏光薄膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有高二色性比的偏光薄膜、以及该偏光薄膜的制造方法、以及具有该偏光薄膜的图像显示装置。

背景技术

偏光薄膜是具有使偏光或自然光中特定的直线偏光透射的功能的光学部件。

通用的偏光薄膜例如可以通过将用碘染色过的聚乙烯醇薄膜进行拉伸而得到。

另外，还已知有通过溶液流延法得到的偏光薄膜。溶液流延法是通过在基材上涂覆包含色素材料和溶剂的涂布液而在该基材上形成偏光薄膜的方法。

通过溶液涂覆法得到的偏光薄膜与上述通过拉伸聚乙烯醇薄膜得到的偏光薄膜相比，具有其厚度特别薄这样的优点。

以往，作为利用溶液涂布法的偏光薄膜，已知包含由用下述通式（I）表示的双偶氮化合物的偏光薄膜（专利文献1）。

上述通式（I）中，A表示可以用羟基、氨基或磺酸基取代的萘基，B表示可以用低级烷基、低级烷氧基、羟基或者磺酸基取代的亚苯基或亚萘基。

然而，专利文献1的偏光薄膜存在透明性差、二色性比低这样的问题点。

另外，为了制造廉价的偏光薄膜，正在寻求能够廉价地合成的双偶氮化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公平7-92531号公报（日本特开昭62-330213号公报）

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种具有高二色性比的偏光薄膜及其制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的偏光薄膜包含用下述通式（1）表示的双偶氮化合物。

Q¹表示具有至少1个-SO₃M基的苯基，Q²表示具有至少1个-SO₃M基的亚萘基，X表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、碳数1～4的硫代烷基、卤代基、或极性基，下标k表示前述X的取代数即0～5的整数，M表示抗衡离子，前述k为2以上的整数时，前述X分别相同或不同。

优选前述Q²为用下述通式（Q2-1）表示的亚萘基，更优选为下述任一式表示的亚萘基。

Z表示除-SO₃M基以外的取代基，下标o表示Z的取代数即0～5的整数，下标n表示-SO₃M基的取代数即1～6的整数，1≤n+o≤6，前述o为2以上时，前述Z分别相同或不同。

优选前述Q¹为用下述通式（Q1-1）表示的苯基，更优选为下述任一式表示的苯基。

Y表示除-SO₃M基以外的取代基，下标m表示Y的取代数即0～4的整数，下标l表示-SO₃M基的取代数即1～5的整数，1≤l+m≤5，前述m为2以上时，前述Y分别相同或不同。

根据本发明的另一方案，提供图像显示装置。

该图像显示装置具有上述任一种偏光薄膜作为其构成部件，。

根据本发明的另一方案，提供偏光薄膜的制造方法。

该偏光薄膜的制造方法具备将包含用上述通式（1）表示的双偶氮化合物和溶剂的涂布液涂覆在基材上的工序。

发明的效果

本发明的偏光薄膜包含用通式（1）表示的双偶氮化合物，因此具有高二色性比。

具有该二色性比高的偏光薄膜的图像显示装置的显示特性优异。

附图说明

图1为表示1个实施方式的偏光薄膜的局部剖面图。

图2为表示1个实施方式的偏光板的局部剖面图。

具体实施方式

以下，对本发明进行具体说明。

在本说明书中，“AAA～BBB”这样的记载表示“AAA以上并且BBB以下”的含义。

［偏光薄膜］

本发明的偏光薄膜包含用下述通式（1）表示的双偶氮化合物。

本发明的偏光薄膜包含选自由用下述通式（1）表示的双偶氮化合物中的1种或2种以上，根据需要，也可以包含其它的成分。

用通式（1）表示的双偶氮化合物对溶剂的溶解性优异，可以在溶剂中形成稳定的缔合体。

由该双偶氮化合物形成的偏光薄膜具有高二色性比。