[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模及其制造方法在审
申请号: | 201380002495.5 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN104471478A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 影山景弘;中村大介 | 申请(专利权)人: | 爱发科成膜株式会社 |
主分类号: | G03F1/29 | 分类号: | G03F1/29;G03F1/26;G03F1/80 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相移 坯料 及其 制造 方法 | ||
1.一种相移掩模坯料,其特征在于具有:
透明基板;
形成在透明基板表面上的、主要成分为Cr的相移层;
以从透明基板朝向相移层的方向为上,在相移层上形成的、以从Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf中选出的至少一种金属为主要成分的蚀刻阻挡层;以及
在蚀刻阻挡层上形成的、主要成分为Cr的遮光层。
2.一种相移掩模,是由根据权利要求1所述的相移掩模坯料制造的相移掩模,其特征在于:
在具有规定的开口图案的单一掩模挡板上依次蚀刻所述遮光层和所述蚀刻阻挡层,形成遮光图案和蚀刻阻挡层图案,在所述掩模挡板上蚀刻所述相移层形成相移图案,所述遮光图案的开口宽度比该相移图案的开口宽度更宽。
3.一种相移掩模的制造方法,是由根据权利要求1所述的相移掩模坯料制造相移掩模的方法,其特征在于包含:
在遮光层上形成具有规定的开口图案的单一掩模的步骤;
在已形成的掩模挡板上依次蚀刻所述遮光层和所述蚀刻阻挡层形成遮光图案和蚀刻阻挡层图案的步骤;
在所述掩模挡板上蚀刻所述相移层形成相移图案的步骤;以及
进一步蚀刻所述蚀刻阻挡层图案的步骤。
4.根据权利要求3所述的相移掩模的制造方法,其特征在于:在所述蚀刻阻挡层的蚀刻中使用含硝酸的蚀刻液。
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