[发明专利]半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件（半导体装置）。本发明主张2012年9月19日申请的日本专利申请号2012-205618的优先权，对于允许通过文献的参考来包含（加进去）的指定国家，该申请中记载的内容通过参考而包含于本申请中。

背景技术

以下的专利文献1中公开了在一个基板上并排配置有MOSFET等开关元件和续流二极管（也称为整流二极管或换向二极管）的功率模块。

已有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-105389号公报

发明内容

而随着近年来产品的多功能化、小型化，要求部件安装的高密度化。对于上述专利文献1的功率模块也要求进一步的小型化。

本发明是鉴于上述情况而完成的，本发明的目的为实现半导体器件的进一步的小型化。

用于解决技术课题的技术手段

用于解决上述课题的第一实施方式例如为一种半导体器件，其特征在于，包括：设置于基板上的FET（Field effect transistor，场效应管）；第一电极，其与上述基板夹着上述FET地设置在上述基板的相反侧；二极管，其与上述FET夹着上述第一电极地设置在上述FET的相反侧；和第二电极，其与上述第一电极夹着上述二极管地设置在上述第一电极的相反侧，其中，上述FET形成为板状，在一个面设置有源极和栅极，在另一个面设置有漏极，上述源极与上述基板上的第一布线图案连接，上述栅极与上述基板上的第二布线图案连接，上述漏极与上述第一电极连接，上述第一电极的脚部与上述基板上的不同于上述第一布线图案及上述第二布线图案的布线图案相连接，上述二极管形成为板状，在一个面设置有阳极，在另一个面设置有阴极，上述阴极与上述第一电极连接；上述阳极与上述第二电极连接；上述第二电极的脚部与上述第一布线图案相连接，上述第一电极的脚部与上述第二电极的脚部夹着上述FET相对。

此外，用于解决上述问题的第二方式例如为一种半导体器件，其特征在于，包括：设置于基板上的FET（Field effect transistor，场效应管）；第一电极，其与上述基板夹着上述FET地设置在上述基板的相反侧；二极管，其与上述FET夹着上述第一电极地设置在上述FET的相反侧；和第二电极，其与上述第一电极夹着上述二极管地设置在上述第一电极的相反侧，其中，上述FET形成为板状，在一个面设置有源极和栅极，在另一个面设置有漏极，上述源极与上述基板上的第一布线图案连接，上述栅极与上述基板上的第二布线图案连接，上述漏极与上述第一电极连接，上述二极管形成为板状，在一个面设置有阳极，在另一个面设置有阴极，上述阴极与上述第一电极连接；上述阳极与上述第二电极连接；上述第二电极与上述第一布线图案相连接，上述第一电极的与上述二极管相连接的面比上述FET及上述二极管大，在包含与上述FET的边平行且通过上述源极和上述栅极的线的、与上述FET的上述一个面正交的面截断上述半导体器件的剖面中，上述阴极的长度比上述源极的长度与上述栅极的长度之和更长。