[发明专利]胶粘片

说明书

技术领域

本发明关于胶粘片，尤其关于具有切割胶带及芯片接合膜的2种功能的胶粘片。

现有技术

最近开发了一种胶粘片，其合并了2种功能，即具有：在将半导体晶片切断分离（切割）成各芯片时将半导体晶片固定用的切割胶带的功能；及用于将被切断的半导体芯片胶粘在引线框和封装基板等，或是在堆叠封装中将半导体芯片彼此层叠、胶粘的芯片接合膜（也称为芯片固定膜）的功能。

作为这种胶粘片，考虑到朝晶片的粘贴、切割时的朝环形框的安装等的作业性，会施加预切断加工（例如参考专利文献1）。

被预切断加工的胶粘片的例，如图11及图12所示。图11是示出将胶粘片卷取成卷筒状的状态的图，图12（a）是从胶粘片的粘合膜53侧所见的俯视图，图12（b）是图12（a）的线B-B的剖视图。胶粘片50由脱模膜51、胶粘剂层52及粘合膜53所构成。胶粘剂层52被加工为与晶片的形状对应的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜53是将与切割用的环形框的形状对应的圆形部分的周边区域除去者，如图示，具有：圆形标签部53a、及将其外侧包围的周边部53b。胶粘剂层52及粘合膜53的圆形标签部53a，以将其中心对齐的方式被层叠，且粘合膜53的圆形标签部53a，将胶粘剂层52覆盖，且在其周围与脱模膜51接触。粘合膜53中，一般将粘合剂层层叠在基材膜上。

在要将晶片切割时，从层叠状态的胶粘剂层52及粘合膜53将脱模膜51剥离，如图13所示，将半导体晶片W的背面粘贴在胶粘剂层52上，将切割用环形框F粘合固定于粘合膜53的圆形标签部53a的外周部。在此状态下将半导体晶片W切割，其后，依据需要对于粘合膜53施加紫外线照射等固化处理将半导体芯片拾取。此时，粘合膜53从胶粘剂层52剥离，半导体芯片在背面附着有胶粘剂层52的状态下被拾取。附着在半导体芯片的背面的胶粘剂层52，之后在将半导体芯片胶粘于引线框、封装基板或其他半导体芯片时，作为芯片接合膜发挥作用。

但是，一般而言，粘合膜53将胶粘剂层52覆盖，且在其周围与脱模膜51接触，但是由于胶粘剂层52的厚度，在脱模膜51及粘合膜53之间极会产生些微的空隙，而具有空气残留的情况。此现象在60μm以上的厚的胶粘剂层52、粘合膜53的弹性率高的情况时更显著。这种脱模膜51及粘合膜53之间的空气，也有会移动而朝圆形标签部53a的外侧逃逸，不会大大地影响粘合膜53的物性，因此单独的话不会成为问题。

但是，胶粘片50在保存时及运送时被放置于低温状态（例如-20℃～5℃），朝半导体晶片W粘贴时被加热，在将半导体晶片W加工时的使用时被置于常温状态等，即被置于温度变化大的特殊的环境下。通过这种温度变化会使脱模膜51、胶粘剂层52及粘合膜53的尺寸变化变大，从而有时会在胶粘剂层52及粘合膜53之间产生空气侵入而产生空隙（气洞）。气洞有可能产生对半导体晶片W的粘贴不良，并导致之后的半导体晶片W的切割工序、芯片的拾取工序、芯片接合工序中的成品率的下降。另外，在本说明书中，空气是指粘合膜与脱模膜、或是胶粘剂层与脱模膜之间的空气，气洞是指胶粘剂层与粘合膜之间的空气。

气洞是如上述会使成品率下降，且由于在胶粘剂层52及粘合膜53之间产生，因此不易移除，因此对于胶粘片50成为非常地重大的问题。且，从气洞产生的原理考虑，空气越多越有可能发展成气洞，所以优选减少。

作为抑制气洞的对策，公开了：以沿厚度方向将粘合膜的基材膜及粘合剂层贯通的方式设置有贯通孔的层叠片（例如参考专利文献2的图1及图2）。如此地成为在粘合膜设置贯通孔的构成的话，在胶粘剂层与粘合膜之间的气洞就不会产生，可以期待有效地抑制对半导体晶片的粘贴不良的效果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2008-153587号公报

发明内容

本发明所要解决的课题

但是，将带胶粘剂层的芯片从粘合剂层拾取的拾取工序之前，为了将芯片彼此的间隔扩大，提高由CCD照相机等所进行的芯片的辨认性，并且防止拾取时相邻接的芯片彼此再愈合，而进行将粘合膜朝圆周方向拉伸的扩张工序。在扩张工序中，为了更可靠地防止再愈合、或是为了短缩生产节拍时间，而具有欲加大扩张量和/或扩张速度的情况。