[发明专利]半导体发光装置和照明装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，是具备半导体发光元件和波长转换层的半导体发光装置，所述半导体发光元件放出在390nm～430nm具有发光峰的光，所述波长转换层包含将所述半导体发光元件放出的光作为激发源而发光的荧光体，

所述半导体发光装置是具备截止滤光片并且通过该截止滤光片射出光的半导体发光装置，所述截止滤光片吸收430nm以下的短波长光并透射比430nm长的波长的光，

在半导体发光装置射出的光的光谱中，来自所述半导体发光元件的放出光的发光峰强度相对于该光谱的最大强度为50%以下。

2.一种半导体发光装置，是具备半导体发光元件和波长转换层的半导体发光装置，所述半导体发光元件放出在390nm～430nm具有发光峰的光，所述波长转换层包含将所述半导体发光元件放出的光作为激发源而发光的荧光体，

所述半导体发光装置是具备截止滤光片并且通过该截止滤光片射出光的半导体发光装置，所述截止滤光片吸收430nm以下的短波长光并透射比430nm长的波长的光，

所述波长转换层含有由窄带红色荧光体、窄带绿色荧光体和窄带蓝色荧光体的组构成的荧光体中的至少一个窄带荧光体，

在半导体发光装置射出的光的光谱中，来自所述半导体发光元件的放出光的发光峰强度相对于该光谱的最大强度为20%以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其中，所述波长转换层为光透射型波长转换层，所述截止滤光片配置在波长转换层的光的射出侧。

4.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其中，所述半导体发光装置具有框体，所述框体具有能够射出光的开口部和反射光的反射部，

所述截止滤光片配置在该框体的开口部，

所述波长转换层是通过在框体的反射部配置波长转换层来反射从半导体发光元件放出的光的光反射型波长转换层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光装置，其中，所述截止滤光片将430nm以下的光吸收50%以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光装置，其中，将相对于截止滤光片表面以入射角θ使光入射时的光的透射率设为tθ，使θ变化成0～180°的范围的任意角度时，所述截止滤光片的光的透射率的偏差Δtθ为50%以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体发光装置，其中，所述半导体发光装置具有透明基板，所述截止滤光片由该透明基板所支撑。

8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述透明基板的与截止滤光片对置的一侧的表面进行了无反射处理。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光装置，其中，从所述半导体发光元件放出且未由波长转换层进行波长转换而到达截止滤光片的光的发光峰波长为从所述半导体发光装置放出的可见光的最大发光峰中的光的发光强度的50%～250%。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体发光装置，其中，以所述半导体发光元件与所述波长转换层具有1mm～500mm的距离的方式配置。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体发光装置，其中，以所述半导体发光元件与所述波长转换层相接的方式配置。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体发光装置，其中，射出相关色温为1800K～7500K的白色光。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体发光装置，其中，平均演色评价指数Ra为70以上。

14.一种照明装置，具备权利要求1～13中任一项所述的半导体发光装置。