[发明专利]铜微蚀刻剂及其补充液、以及电路板的制造方法

权利要求书

1.一种铜微蚀刻剂，由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成，

所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物，

以所述卤化物离子的浓度作为A重量%、以所述聚合物的浓度作为B重量%、以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时，A/B的值为2000～9000，且A/D的值为500～9000。

2.如权利要求1所述的铜微蚀刻剂，其特征在于，所述卤化物离子的浓度为0.01～20重量%。

3.如权利要求1或2所述的铜微蚀刻剂，其特征在于，所述聚合物为选自四级铵盐型聚合物、聚乙烯亚胺及多伸烷基多胺的1种以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的铜微蚀刻剂，其特征在于，所述非离子性表面活性剂为聚氧化烯加成物。

5.一种电路板的制造方法，为制造含有铜层的电路板的方法，具有以如权利要求1～4中任一项所述的铜微蚀刻剂接触所述铜层的表面使所述表面粗化的粗化处理步骤。

6.如权利要求5所述的电路板的制造方法，其特征在于，与所述铜微蚀刻剂接触前的所述铜层的厚度为1μm以下。

7.如权利要求5或6所述的电路板的制造方法，其特征在于，所述铜层的表面粗化时的深度方向的平均蚀刻量为0.5μm以下。

8.如权利要求5～7中任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，于所述粗化处理步骤后，以酸性水溶液洗净经粗化的铜层的表面。

9.如权利要求5～8中任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，所述粗化处理步骤为一边对所述铜微蚀刻剂添加由含有有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成的补给液，一边将所述铜层表面粗化的步骤；

所述补给液中的所述聚合物具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。

10.一种补给液，用来添加到如权利要求9所述的电路板的制造方法中的所述铜微蚀刻剂中，

其由含有有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成，

所述补给液中的所述聚合物具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。