[发明专利]树脂封装型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种树脂封装型半导体装置，具有台面型半导体元件和铸模用树脂，所述台面型半导体元件包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖所述外围锥形区域的玻璃层，所述铸模用树脂用于封装所述台面型半导体元件，所述玻璃层是在形成了覆盖所述外围锥形区域的由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对该由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物由一种玻璃微粒构成，该玻璃微粒是通过将一种原料熔融而获得的熔液制造而成，所述原料以下述的含量至少含有SiO₂，Al₂O₃，B₂O₃，ZnO，以及含有CaO、BaO和MgO中的至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且，所述原料不将所述原料中的任何一种成分作为填充物含有，

SiO₂的含量：49.5mol%～64.3mol%，

Al₂O₃的含量：3.7mol%～14.8mol%，

B₂O₃的含量：8.4mol%～17.9mol%，

ZnO的含量：3.9mol%～14.2mol%，

碱土金属氧化物的含量：7.4mol%～12.9mol%。

2.根据权利要求1所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物在50℃～500℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10^-6～4.13×10^-6的范围内。

3.根据权利要求2所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物的SiO₂的含量和B₂O₃的含量的合计值在65mol%～75mol%的范围内。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述原料实质上不含有P。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述原料实质上不含有Bi。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述玻璃层是通过在900℃以下的温度下对由所述半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述外围锥形区域被所述玻璃层直接覆盖。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述外围锥形区域通过绝缘层被所述玻璃层覆盖。

9.根据权利要求8所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物是实质上不含有作为脱泡剂的多价元素的半导体接合保护用玻璃复合物。

10.根据权利要求9所述的树脂封装型半导体装置，其特征在于：

其中，所述多价元素包括V、Mn、Sn、Ce、Nb及Ta。

11.一种树脂封装型半导体装置的制造方法，依次包括准备具有与主面平行的PN结的半导体基板的半导体基板准备工序，从所述半导体基板一侧的表面形成深度超过所述PN结的沟道的沟道形成工序，在形成了至少覆盖所述沟道内面的由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后通过对该由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制来形成玻璃层的玻璃层形成工序，通过沿所述沟道将所述半导体基板切断从而制作台面型半导体元件的半导体基板切断工序，以及将所述台面型半导体元件用铸模用树脂封装的树脂封装工序，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物是由一种玻璃微粒构成的半导体接合保护用玻璃复合物，所述玻璃微粒是通过将一种原料熔融而获得的熔液制造而成，所述原料以下述的含量至少含有SiO₂，Al₂O₃，B₂O₃，ZnO，以及CaO、BaO和MgO中的至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且不将所述原料中的任何一种成分作为填充物含有，

SiO₂的含量：49.5mol%～64.3mol%，

Al₂O₃的含量：3.7mol%～14.8mol%，

B₂O₃的含量：8.4mol%～17.9mol%，

ZnO的含量：3.9mol%～14.2mol%，

碱土金属氧化物的含量：7.4mol%～12.9mol%。