[发明专利]光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体及光半导体装置无效
申请号: | 201380003620.4 | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN103890936A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 鹿毛崇至;樋口勋夫;福田崇志;保井秀文;中村秀;渡边贵志 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;C08L63/00;H01L23/02;H01L23/08;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 白色 固化 组合 成形 | ||
1.一种白色的光半导体装置用白色固化性组合物,其用于得到成形体,所述成形体在光半导体装置中配置于光半导体元件的侧方,并用于在由其内面所包围的区域内填充密封剂以密封所述光半导体元件,所述成形体具有将由所述光半导体元件发出的光导出到外部的开口,其中,
所述光半导体装置用白色固化性组合物含有具有环氧基的环氧化合物、酸酐固化剂、氧化钛、球状二氧化硅和破碎二氧化硅,
所述球状二氧化硅的平均粒径为5μm以上且100μm以下。
2.如权利要求1所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述破碎二氧化硅的长宽比为1.5以上且20以下。
3.如权利要求1或2所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述破碎二氧化硅的平均粒径为1μm以上且30μm以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述氧化钛为金红石型氧化钛。
5.如权利要求1~4中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述环氧化合物不具有芳香族骨架,构成所述环氧化合物的原子仅为碳原子、氧原子及氢原子这3种。
6.如权利要求1~5中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述环氧化合物具有脂环式骨架。
7.如权利要求6所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述环氧化合物包含具有脂环式骨架且环氧基的2个碳原子为脂环式骨架的碳原子的环氧化合物。
8.如权利要求6所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述环氧化合物包含具有脂环式骨架但环氧基的2个碳原子不是脂环式骨架的碳原子的环氧化合物。
9.如权利要求6所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其中,所述环氧化合物包含具有脂环式骨架且环氧基的2个碳原子为脂环式骨架的碳原子的环氧化合物和具有脂环式骨架但环氧基的2个碳原子不是脂环式骨架的碳原子的环氧化合物这两者。
10.如权利要求1~9中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其用于得到在光半导体装置中配置在搭载有光半导体元件的引线框上的成形体。
11.如权利要求1~10中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其用于得到在光半导体装置中配置在搭载有光半导体元件的引线框上成形体,其中,
该组合物用于在得到多个成形体连接而成的分割前成形体之后,对所述分割前成形体进行分割而得到各个成形体。
12.如权利要求1~11中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物,其用于得到如下成形体,所述成形体在光半导体装置中配置在搭载有光半导体元件的引线框上,并配置在上述光半导体元件的侧面,且具有光反射部,所述光反射部用于反射由所述光半导体元件发出的光。
13.一种光半导体装置用成形体,其在光半导体装置中配置于光半导体元件的侧方,并用于在由其内面所包围的区域内填充密封剂以密封所述光半导体元件,所述成形体具有将由所述光半导体元件发出的光导出到外部的开口,
所述成形体是通过使权利要求1~12中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到的。
14.一种光半导体装置,其具备引线框、搭载在所述引线框上的光半导体元件、配置在所述引线框上的成形体、以及密封剂,
所述成形体通过使权利要求1~12中任一项所述的光半导体装置用白色固化性组合物固化而得到,
所述成形体具有将由所述光半导体元件发出的光导出到外部的开口,
所述密封剂配置于所述光半导体元件的侧方,
所述密封剂填充在所述成形体的内面所包围的区域内以密封所述光半导体元件。
15.如权利要求14所述的光半导体装置,其中,所述成形体配置于所述光半导体元件的侧方,且所述成形体的内面为反射由所述光半导体元件发出的光的光反射部。
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