[发明专利]半导体模块有效

专利信息
申请号: 201380003722.6 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN103918076B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 须永崇;金子昇;三好修 申请(专利权)人: 日本精工株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;徐丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,

具有:金属制的基板;形成于该基板之上的绝缘层;形成于该绝缘层上的多个布线图案;通过焊锡封装于该多个布线图案中的一个布线图案的晶体管裸芯片;以及用于通过焊锡使形成于该晶体管裸芯片的上表面的电极和所述多个布线图案中的其他布线图案接合的、由铜板构成的铜连接器,

所述铜连接器具备:与所述晶体管裸芯片的电极接合的电极接合部;以及相对于该电极接合部在单向上以相对置的方式配置的、与所述多个布线图案中的其他布线图案接合的基板接合部,

所述电极接合部的与所述单向正交的方向上的宽度比所述基板接合部的与所述单向正交的方向上的宽度窄。

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

所述电极接合部位于所述基板接合部的与所述单向正交的宽度方向的大致中央部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,

在所述电极接合部和所述基板接合部之间设置有应力缓和部。

4.根据权利要求3所述的半导体模块,其特征在于,

所述应力缓和部形成为,具有平板部、以从该平板部的一端朝向下方延伸的方式弯折的第一连结部、以及以从所述平板部的另一端朝向下方延伸的方式弯折的第二连结部,而形成桥形,所述电极接合部从所述第一连结部弯折而向外侧延伸,所述基板接合部从所述第二连结部弯折而向外侧延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体模块,其特征在于,

所述第一连结部形成为从所述平板部到所述电极接合部为止宽度逐渐变细的锥状,将所述电极接合部的弯曲基点设为所述第一连结部的最细的部位。

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块,其特征在于,

在所述平板部的与所述单向正交的方向的两端分别形成有平衡肋部,该平衡肋部以从该两端朝向下方延伸的方式弯折而成。

7.根据权利要求4至6中的任意一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述铜连接器的所述电极接合部及所述基板接合部的厚度比所述铜连接器的其他部分的厚度大。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述晶体管裸芯片是在上表面形成有源电极及接合面积比该源电极小的栅电极的FET裸芯片,所述铜连接器是将该铜连接器的电极接合部与所述栅电极接合的栅电极用铜连接器。

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