[发明专利]半导体发光装置有效
申请号: | 201380003789.X | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103918093B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 神川刚 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
1.一种半导体发光装置,其特征在于,包含:
包含透明基板的半导体发光元件;
搭载有所述半导体发光元件的基板;
具有透光性的粘接层,其包含荧光体,且将所述半导体发光元件固定在所述基板上;
密封部件,其包含荧光体,且密封所述半导体发光元件;
所述粘接层具有所述密封部件所包含的荧光体的平均粒径以下的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述粘接层所包含的荧光体的平均粒径在200nm以下。
3.如权利要求2所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述粘接层所包含的荧光体的平均粒径在100nm以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述半导体发光装置,其特征在于,
所述基板具有光反射面;
所述半导体发光元件搭载在所述光反射面上。
5.如权利要求1至4中任一项所述半导体发光装置,其特征在于,
与所述密封部件所包含的荧光体相比,所述粘接层所包含的荧光体发出发光波长更长的荧光。
6.如权利要求1至5中任一项所述半导体发光装置,其特征在于,
所述透明基板为蓝宝石基板、氮化物类半导体基板以及SiC基板中的任一种基板。
7.如权利要求1至6中任一项所述半导体发光装置,其特征在于,
所述粘接层由硅酮树脂构成。
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