[发明专利]玻璃基板的制造方法有效
申请号: | 201380003818.2 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103930381A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 新彰夫;竹田尚贵;杉野太志 | 申请(专利权)人: | 安瀚视特控股株式会社 |
主分类号: | C03B5/027 | 分类号: | C03B5/027 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及玻璃基板的制造方法。
背景技术
例如在制造平板显示器(FPD,flat panel display)用的玻璃基板的情况下,通常使投入至熔解槽中的玻璃原料熔解而制造熔融玻璃。该熔融玻璃在通过除泡等澄清之后,利用成形装置成形为片状玻璃。通过将该片状玻璃以特定的长度切断而获得玻璃基板。
在使玻璃原料熔解而制造熔融玻璃时,投入至熔融玻璃的液面上的玻璃原料通过燃烧器等的火焰熔解。具体而言,玻璃原料通过已由燃烧器等加热的炉壁的热辐射或高温化的气相环境而慢慢地开始熔解,从而向下方的熔融玻璃中熔解。另一方面,熔融玻璃积存在熔解槽中,使用与熔融玻璃接触的一对电极通入电。通过该通电,熔融玻璃自身产生焦耳热,该焦耳热对熔融玻璃自身进行加热。
作为用于熔解槽的电极所使用的材料,众所周知的是使用铂或铂铑合金、钼、氧化锡等耐热性材料(专利文献1)。
使用氧化锡或钼的电极,与熔融玻璃接触的前端的部分因侵蚀而产生损耗,经时性地短小化。当因侵蚀所致电极的前端位置较特定的位置更后退时,存在更多的电流流过熔解槽的壁而导致熔解槽的壁被侵蚀的顾虑。因此,如果电极被侵蚀而致使其前端的位置较特定的位置更后退,则必须以使电极的前端成为特定位置的方式,将电极向熔解槽的内侧压入(专利文献2)。
先前技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2003-292323号公报
专利文献2:日本专利特开昭56-5336号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,上述先前技术中,难以准确推测在作业中电极被侵蚀的长度。因此,不得不将熔解槽的作业在较原本可能的作业期间短的期间停止来进行熔解槽的维护。
由此,本发明的目的在于提供一种玻璃基板的制造方法,可准确推测在作业中熔解槽的电极被侵蚀的长度而延长作业期间。
[解决问题的技术手段]
本发明的一实施方式是一种将导入至在至少一对贯通孔设置有包含氧化锡的电极的熔解槽中的玻璃原料熔解而制造玻璃基板的方法。该玻璃基板的制造方法包括:基于所述玻璃基板中所含的氧化锡的重量、与从所述玻璃原料供给至所述玻璃基板的氧化锡的重量的差,而求出氧化锡从所述电极向所述玻璃基板的溶出重量的步骤;基于所述溶出重量而求出所述电极的侵蚀长度的步骤;及基于所述侵蚀长度而将所述电极向熔融玻璃方向压出至特定位置的步骤。
上述实施方式的玻璃基板的制造方法,也可包括将所述侵蚀长度除以制造所述玻璃基板的时间而求出所述电极的侵蚀速度的步骤。
此外,上述实施方式的玻璃基板的制造方法中,对所述熔融玻璃进行通电加热的步骤,包括使用可对所述电极的冷却量进行调节的冷却装置对所述电极进行冷却的步骤,在对所述电极进行冷却的步骤中,也可求出所述侵蚀速度与所述冷却量的关联,并基于该关联而以使所述侵蚀速度降低的方式调节所述冷却量。
[发明的效果]
根据上述实施方式,可准确推测在作业中熔解槽的电极被侵蚀的长度而延长熔解槽的作业期间。
附图说明
图1是说明本实施方式的玻璃的制造方法的步骤的步骤图。
图2是示意性地表示进行图1所示的从熔解步骤至切断步骤的装置的图。
图3是说明进行图1所示的熔解步骤的熔解槽的图。
图4的(a)是表示电极体的配置的电极体周边的水平剖面图,(b)是表示电极体的侵蚀的电极体周边的水平剖面图。
图5是表示电极体的侵蚀速度与冷却量的关联的曲线图。
具体实施方式
以下,对本实施方式的玻璃的制造方法进行说明。图1是说明本实施方式的玻璃基板的制造方法的步骤的步骤图。
玻璃基板的制造方法主要包括熔解步骤(ST1)、澄清步骤(ST2)、均质化步骤(ST3)、供给步骤(ST4)、成形步骤(ST5)、缓冷步骤(ST6)、及切断步骤(ST7)。此外还包括磨削步骤、研磨步骤、清洗步骤、检查步骤、及打包步骤等,在打包步骤积层的多个玻璃板被搬送至供货方的业者。
图2是示意性地表示进行从熔解步骤(ST1)至切断步骤(ST7)的装置图。该装置如图2所示股,主要包括熔解装置200、成形装置300、及切断装置400。熔解装置200主要包括熔解槽201、澄清槽202、搅拌槽203、第1配管204、及第2配管205。
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