[发明专利]制造半导体发光器件的方法

说明书

技术领域

本公开(disclosure)总体上涉及制造半导体发光器件的方法，并且更具体地，涉及一种用于制造具有光反射面的半导体发光器件的处理。

在本文的上下文，术语“半导体发光器件”指的是经由电子-空穴复合来产生光的半导体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含Al(_x)Ga(_y)In_(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物组成。其另一个示例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。

背景技术

这部分提供与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art)。

图1是例示在美国专利No.7,262,436中提出的半导体发光器件的示例。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的n型半导体层300；在n型半导体层300上生长的有源层400；在有源层400上生长的p型半导体层500；形成在p型半导体层500上的电极901、902和903(同时充当反射膜)；以及形成在已经蚀刻并且露出的n型半导体层300上的n侧结合垫800。n型半导体层300和p型半导体层500可具有相反的导电类型。优选地，在衬底100和n型半导体层300之间设置有缓冲层(未示出)。具有该结构的芯片(即，所有的电极901、902和903以及n侧结合垫800被形成在衬底100的相对侧，电极901、902和903充当反射膜)被称为倒装芯片(flip-chip)。电极901、902和903由如下各项组成：具有高反射率的电极901(例如，Ag)；用于结合的电极903(例如，Au)；以及用于防止电极901的材料和电极903的材料之间的扩散的电极902(例如，Ni)。虽然该金属反射膜结构具有高反射率并且有利于电流扩展，但是其具有金属吸收光的缺点。

图2是例示在日本特开No.2006-120913中提出的半导体发光器件的示例的图。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的缓冲层；在缓冲层200上生长的n型半导体层300；在n型半导体层300上生长的有源层400；在有源层400上生长的p型半导体层500；形成在p型半导体层500上的具有电流扩展功能的透光导电膜600；形成在透光导电膜600上的p侧结合垫700；以及形成在已经蚀刻并且露出的n型半导体层300上的n侧结合垫800。此外，在透光导电膜600上设置有DBR(Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射器)900和金属反射膜904。虽然该结构减少金属反射膜904的光吸收，但是其具有如下缺点：与使用电极901、902和903相比，电流扩展相对差。

图12是例示在日本特开No.2009-164423中提出的半导体发光器件的示例的图。该半导体发光器件中，在多个半导体层300、400和500上设置有DBR900和金属反射膜904，在其相对侧设置有荧光体1000。金属反射膜904和n侧结合垫800与外部电极1100和1200电连接。外部电极1100和1200可以是用于封装体的引线框架，或者是设置在COB((Chip on Board，板上芯片)或PCB(印刷电路板)上的电图案。荧光体1000可被共形地(conformal)涂覆，或者可与环氧树脂混合并且然后用于覆盖外部电极1100和1200。荧光体1000吸收在有源层中产生的光，并且将该光转换成更长波长或更短波长的光。

发明内容

技术问题

待通过本公开解决的问题将在针对实施本发明的具体实施方式的后部描述。

本部分提供本公开的总体总结(Summary)，并不是其全部范围或其所有特征的完整公开。

解决问题的方案