[发明专利]用于处理基板的方法和设备

权利要求书

1.一种处理设置于处理腔室中的基板的方法，所述方法包括：

在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧；

在所述基板上执行所述处理期间，经由一个或更多个通孔提供第一气体至所述基板的背侧，所述第一气体包括含氧气体或含氮气体之一，所述通孔设置于所述反射板中；以及

将所述处理腔室维持在第一压力和第二压力下，所述第一压力接近所述基板的顶表面且所述第二压力接近所述基板的底表面，其中所述第一压力大于所述第二压力而足以在处理期间防止所述基板从所述基板支撑环移位。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

施加真空至所述一个或更多个通孔之一或更多者以产生第一气体流，所述第一气体流从所述基板的背侧流出，以减少施加至所述基板的背侧的压力量。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一压力比所述第二压力大至少2托。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个通孔被配置成容纳升降销或温度传感器至少之一。

5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述处理为退火处理。

6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括：

提供所述第一气体至所述基板的前侧，且在同一时间提供所述第一气体至所述基板的所述背侧。

7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中提供所述第一气体包括：

以第一流量提供所述第一气体；以及

在一段时间内增加所述第一流量至第二流量。

8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括：

由所述第一气体形成等离子体；以及

通过将所述基板的所述背侧暴露至所述等离子体所形成的激发态物种而在所述基板的所述背侧上形成覆盖层。

9.如权利要求8所述的方法，其中由所述第一气体形成所述等离子体包括：

在远程等离子体腔室中形成所述等离子体；以及

提供所述等离子体至所述处理腔室。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述覆盖层为氮化物层或氧化物层之一。

11.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有指令，当执行所述指令时，可产生一种用于处理基板的方法，所述方法将在处理腔室中执行且为权利要求1至3中任一项所述的方法。

12.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧，所述反射板具有多个通孔；

其中设置于所述反射板中的所述多个通孔中的至少一个通孔为入口，所述入口用以提供第一气体至接近所述基板的背侧的区域；以及

其中设置于所述反射板中的所述多个通孔中的至少一个通孔为出口，所述出口用以产生这些气体气流，所述气流流出所述基板的所述背侧。

13.如权利要求12所述的设备，进一步包括：

气源，所述气源耦接至所述入口；以及

真空泵，所述真空泵耦接至所述出口。

14.如权利要求12或13中任一项所述的设备，进一步包括：

第二入口，所述第二入口设置于所述处理腔室中，以提供所述第一气体至接近所述基板的前表面的区域。

15.如权利要求12或13中任一项所述的设备，进一步包括：

升降销或温度传感器至少之一，所述升降销或温度传感器至少之一设置于所述多个通孔的至少一些通孔中。