[发明专利]荧光体、发光装置、拍摄装置、液晶显示器装置、照明装置以及车辆

权利要求书

1.一种荧光体，其包括(Ba_1-z，Sr_z)₃MgSi₂O₈型晶体和(Ba_1-z，Sr_z)MgSiO₄型晶体作为基质晶体，并且含有Eu²⁺作为发光中心而发蓝色光，其中O≤z＜1。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

上述荧光体在利用Cu-Kα线测定的X射线衍射图样中，在2θ＝22°以上且23°以下、2θ＝30.6°以上且31.7°以下、以及2θ＝31.8°以上且32.8°以下具有衍射峰，并且，在2θ＝28°以上且30.4°以下、以及2θ＝34°以上且35.5°以下具有衍射峰。

3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，

关于上述荧光体，在利用Cu-Kα线测定的X射线衍射图样中，源于(Ba_1-z，Sr_z)₃MgSi₂O₈型晶体的在2θ＝31.8°以上且32.8°以下存在的最大衍射峰的强度b、与源于(Ba_1-z，Sr_z)MgSiO₄型晶体的在2θ＝34°以上且35.5°以下存在的最大衍射峰的强度c之比a为0.01≤a≤0.18，其中a＝c/b。

4.根据权利要求1～3的任意一项所述的荧光体，其中，

上述荧光体的基质晶体具有用通式(Ba_1-z，Sr_z)_3+jMg_1+kSi_2+mO_8+n表示的组成，其中O＜j≤1.0，O＜k≤1.0，O＜m≤1.0，O＜n≤4.0，O≤z≤0.4。

5.根据权利要求1～4的任意一项所述的荧光体，其中，

上述荧光体的Eu的含量相对于Eu、Ba以及Sr的合计为小于2.0原子％。

6.根据权利要求1～5的任意一项所述的荧光体，其中，

上述荧光体的Eu的含量相对于Eu、Ba以及Sr的合计为0.6原子％以上。

7.一种发光装置，其具有权利要求1～6的任意一项所述的荧光体和发光元件。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，

上述发光元件是激光二极管。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，

上述激光二极管的光输出能量密度为0.5kW/cm²以上。

10.根据权利要求7～9的任意一项所述的发光装置，其中，

上述发光元件具有由氮化物半导体形成的发光层，该氮化物半导体具有作为非极性面或半极性面的生长面。

11.一种拍摄装置，包括：

闪光灯，其具有权利要求7～10的任意一项所述的发光装置；和

透镜，其入射来自被上述闪光灯的光照射的对象物的反射光。

12.一种液晶显示器装置，

具有背光源，该背光源包括权利要求7～10的任意一项所述的发光装置。

13.一种照明装置，

具有光源部，该光源部包括权利要求7～10的任意一项所述的发光装置。

14.根据权利要求13所述的照明装置，其中，

该照明装置是车辆用照明装置。

15.一种车辆，

具有权利要求14所述的车辆用照明装置。