[发明专利]固态图像传感器和照相机有效
申请号: | 201380005498.4 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN104054177B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 沖田彰;小林昌弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 照相机 | ||
1.一种固态图像传感器,包括:
半导体基板;
布置于半导体基板中的第一导电类型的第一半导体区域;
构成电荷积累区域且布置于第一半导体区域中的第二导电类型的第二半导体区域;以及
用于将光会聚到第二半导体区域的透镜,其中
第二半导体区域包含在沿半导体基板的表面的方向上布置的多个部分,
在所述多个部分之间形成对于在电荷积累区域中积累的电荷的势垒,
第二半导体区域被配置为通过耗尽区域从第一半导体区域向第二半导体区域的扩展被完全耗尽,以及
作为第二半导体区域的一部分且第二半导体区域中的要被最终耗尽的最终耗尽部分被配置为通过耗尽区域从第一半导体区域的位于最终耗尽部分的横向上的部分向最终耗尽部分的扩展被耗尽。
2.根据权利要求1的传感器,其中,所述多个部分相互电隔离。
3.根据权利要求1的传感器,其中
第二导电类型的多个第三半导体区域分别与所述多个部分对应地被布置于半导体基板中,以及
所述多个部分共用的传送栅极被布置于半导体基板上,以形成用于将电荷从各部分传送到所述多个第三半导体区域中的相应一个的沟道。
4.根据权利要求1的传感器,其中
所述多个部分共用的第二导电类型的第三半导体区域被布置于半导体基板中,以及
所述多个部分共用的传送栅极被布置于半导体基板上,以形成用于将电荷从所述多个部分传送到第三半导体区域的沟道。
5.根据权利要求1的传感器,其中
所述多个部分共用的第二导电类型的第三半导体区域被布置于半导体基板中,以及
多个传送栅极被布置于半导体基板上,以形成用于将电荷从所述多个部分中的每一个传送到第三半导体区域的沟道。
6.根据权利要求1的传感器,其中,第二半导体区域包含相互连接所述多个部分的连接部分。
7.根据权利要求6的传感器,还包括:
布置于半导体基板中的第二导电类型的第三半导体区域;以及
用于形成用于将电荷从第二半导体区域传送到第三半导体区域的沟道的传送栅极,传送栅极被布置于半导体基板上,其中
连接部分被布置于传送栅极与所述多个部分之间。
8.根据权利要求1的传感器,其中
第一半导体区域包含被布置为围绕所述多个部分的第一部分、以及被布置于所述多个部分之间的第二部分,以及
第一半导体区域的第二部分中的杂质浓度比第一半导体区域的第一部分中的杂质浓度高。
9.根据权利要求8的传感器,其中
所述多个部分包含第一部分、第二部分和第三部分,
第二半导体区域的第二部分被布置于第二半导体区域的第一部分与第二半导体区域的第三部分之间,以及
在布置第二半导体区域的第一部分、第二半导体区域的第二部分和第二半导体区域的第三部分的方向上第二半导体区域的第一部分和第二半导体区域的第三部分中的每一个的宽度比第二半导体区域的第二部分的宽度大。
10.根据权利要求1的传感器,其中,围绕第一半导体区域的侧表面的第一导电类型的半导体区域被布置于半导体基板中。
11.根据权利要求1的传感器,其中
所述多个部分之间的间隔在从0.1μm至1.0μm的范围内,以及
所述多个部分沿布置所述多个部分的方向的总长度在从2.0μm至7.0μm的范围内。
12.一种照相机,包括:
根据权利要求1的固态图像传感器;以及
处理从固态图像传感器输出的信号的处理单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的