[发明专利]多结太阳能电池的半成品以及制造多结太能电池的方法

权利要求书

1.一种多结太阳能电池(10)的半成品，其具有：

-一构造为第一子太阳能电池的半导体本体(40)，所述半导体本体具有第一带隙，

-一构造为第二子太阳能电池的半导体本体(50)，所述半导体本体具有第二带隙，其中，所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)与一隧道二极管材料锁合连接，并且所述第一带隙构造为不同于所述第二带隙，

-一构造为衬底层(20)的第一载体材料，并且在所述第一载体材料和所述第一子太阳能电池之间构造有牺牲层(30)，

其特征在于：

-所述衬底层(20)构造为GaAs衬底或者InP衬底或者Ge衬底，并且

-所述牺牲层(30)具有第三带隙，其中，所述第三带隙小于所述第一带隙并且小于所述第二带隙，并且

-所述第三带隙小于1.2eV，并且

-包括所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)的堆叠构造为对于以红外波长范围入射的电磁辐射是透明的，并且

-所述牺牲层(30)具有处于红外光谱范围内的吸收带，从而使得穿过所述堆叠入射的电磁能量仅仅在所述牺牲层中被吸收，以便在破坏所述牺牲层的情况下将所述第一载体材料从所述第一半导体本体去除。

2.根据权利要求1所述的半成品，其特征在于，所述牺牲层(30)具有与所述第一子太阳能电池的晶格常数不同的晶格常数。

3.根据权利要求1所述的半成品，其特征在于，所述牺牲层(30)与所述第一子太阳能电池是晶格相匹配的。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半成品，其特征在于，所述衬底层(20)具有带间隙：所述带间隙具有小于1.5eV的能量。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半成品，其特征在于，所述第二子太阳能电池具有与所述第二子太阳能电池材料锁合地连接的承载层。

6.根据权利要求1所述的半成品，其特征在于，在所述牺牲层(30)和所述第一子太阳能电池之间构造有缓冲层，并且所述缓冲层具有与所述第一子太阳能电池的材料锁合连接。

7.根据权利要求6所述的半成品，其特征在于，所述缓冲层构造为布拉格反射镜。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半成品，其特征在于，在所述第二子太阳能电池上布置有与所述第二子太阳能电池材料锁合地连接的承载层(100)。

9.一种用于制造多结太阳能电池(10)的方法，所述多结太阳能电池具有

-一构造为衬底层(20)的第一载体材料，其中

-制造一构造为第一子太阳能电池的、具有第一带隙的半导体本体(40)，

-制造一构造为第二子太阳能电池的、具有第二带隙的半导体本体(50)，其中，在所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)之间构造与一隧道二极管的材料锁合连接，并且

-所述第一带隙构造为不同于所述第二带隙，并且

-在所述第一载体材料和所述第一子电池之间制造有牺牲层(30)，

其特征在于，

-所述衬底层(20)由GaAs衬底或者InP衬底或者Ge衬底构成，并且

-所述牺牲层(30)构造为具有小于1.2eV的第三带隙，其中，所述第三带隙小于所述第一带隙并且小于所述第二带隙，并且包括所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)的堆叠构造为对于以红外波长范围入射的电磁辐射是透明的，并且在随后的方法步骤中，在破坏所述牺牲层(30)的情况下将所述第一载体材料从所述第一半导体本体(40)去除，其方式是：穿过包括所述第一半导体本体(40)和所述第二半导体本体(50)的堆叠入射的电磁辐射在所述牺牲层中被吸收。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述牺牲层(30)和所述第一子太阳能电池之间制造有与所述第一子太阳能电池材料锁合地连接的缓冲层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述缓冲层构造为布拉格反射镜。

12.根据权利要求10或权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述第二子太阳能电池上布置有与所述第二子太阳能电池材料锁合地连接的承载层(100)。