[发明专利]用于微电子和光电子器件及其组件的热氧化稳定的、侧链聚醚官能化的聚降冰片烯

权利要求书

1.一种微电子或者光电子器件，其包含重新分配层(RDL)结构、芯片堆栈结构、CMOS图像传感器坝结构中的一种或多种，其中，所述结构进一步包含具有衍生自根据式A的降冰片烯型单体的重复单元的热氧化稳定化的聚合物、以及包含酚类抗氧化剂和增效剂的复合添加剂，

其中s选自0至3，t选自2至4，u是1至3中的整数以及R⁵选自甲基、乙基、正丙基或者异丙基。

2.根据权利要求1所述的微电子或者光电子器件，其中复合抗氧化剂的所述增效剂是二(4-(叔丁基)苯基)胺(Steerer Star)、二(4-(2-苯基丙-2-基)苯基)胺(Naugard445)、二(4-(叔戊基)苯基)胺或者二(4-甲氧基苯基)胺(Thermoflex)中的一种或多种，并且所述酚类抗氧化剂是2，2’-((2-羟基-5-甲基-1，3-亚苯基)二(亚甲基))二(4-甲基酚)(AO-80)、6，6’-亚甲基二(2-(叔丁基)-4-甲基酚)(4-PC)或者3，5-二(1，1-二甲基乙基)-4-羟基苯丙酸(Irganox1076)中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的微电子或者光电子器件，其中复合抗氧化剂的二芳基胺包含二(4-(2-苯基丙-2-基)苯基)胺NG-445)，并且受阻酚包含2，2’-((2-羟基-5-甲基-1，3-亚苯基)二(亚甲基))二(4-甲基酚)(AO-80)。

4.根据权利要求1、2或者3中任一项所述的微电子或者光电子器件，其中，根据式A的降冰片烯型单体是三氧杂壬烷降冰片烯(NBTON)或者四氧杂十二烷降冰片烯(NBTODD)、5-(3-甲氧基丙氧基)乙基-2-降冰片烯(NB-3-MBM)或者5-(3-甲氧基丙氧基)甲基-2-降冰片烯(NB-3-MPM)。

5.根据权利要求4所示的微电子或者光电子器件，其中所述热氧化稳定化的聚合物进一步包含重复单元，所述重复单元衍生自一种或多种的选自降冰片烯基-2-三氟甲基-3，3，3-三氟丙-2-醇(HFANB)、降冰片烯甲基缩水甘油基醚(MGENB)、5-癸基双环[2.2.1]庚-2-烯(DecNB)、5-苯乙基双环[2.2.1]庚-2-烯(PENB)、5-苯丁基双环[2.2.1]庚-2-烯(PBNB)、乙基3-(双环[2.2.1]庚-2-烯-2-基)丙酸酯(EPENB)、2-(6-(双环[2.2.1]庚-5-烯-2-基)己基)环氧乙烷(EONB)、双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸(Acid NB)以及降冰片烯基丙酸(NBEtCOOH)中的降冰片烯型单体。

6.根据权利要求2所述的微电子或者光电子器件，其中，所述器件包含CMOS图像传感器坝结构。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器坝结构，其中，所述热氧化稳定化的聚合物的重复单元衍生自两种或更多种选自NBTON、NBTODD、NB-3-MPM、NB-3-MBM、PENB、PBNB、EONB、DecNB以及MGENB的单体。

8.根据权利要求2所述的微电子或者光电子器件，其中，所述器件包含芯片堆栈结构。

9.根据权利要求8所述的芯片堆栈结构，其中，所述热氧化稳定化的聚合物的重复单元衍生自两种或更多种选自NBTON、NBTODD、NB-3-MPM、NB-3-MBM、HFANB、EPEsNB以及NBCOOTMS的单体。

10.根据权利要求2所述的微电子或者光电子器件，其中，所述器件包含重新分配层(RDL)结构。

11.根据权利要求10所述的重新分配层(RDL)结构，其中，所述热氧化稳定化的聚合物的重复单元衍生自两种或更多种选自NBTON、NBTODD、NB-3-MPM、NB-3-MBM、HFANB、DecNB、EONB、EPEsNB、NBCOOTMS以及MGENB的单体。