[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，

所述等离子体蚀刻装置包括：

收纳被处理基板的处理腔室；

配置于所述处理腔室内，用于载置所述被处理基板的下部电极；

配置于所述处理腔室内，与所述下部电极相对的上部电极；

对所述处理腔室内供给规定的蚀刻气体的蚀刻气体供给机构；和

对所述处理腔室内进行排气的排气机构，

所述等离子体蚀刻方法的特征在于：

连续交替地多次反复实施以下两个工序：

作为所述蚀刻气体，使用由O₂气体、CF₄气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和

作为所述蚀刻气体，使用由O₂和CF₄气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，

并且，对所述下部电极施加第1频率的第1高频电力和比所述第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加所述第1高频电力。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述金属层由钨层形成，所述硬掩模由氧化硅层形成。

3.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述第1频率为80MHz以上150MHz以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

以1kHz～100kHz的脉冲频率脉冲状地施加所述第1高频电力。

5.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，包括：

收纳被处理基板的处理腔室；

配置于所述处理腔室内，用于载置所述被处理基板的下部电极；

配置于所述处理腔室内，与所述下部电极相对的上部电极；

对所述处理腔室内供给规定的蚀刻气体的蚀刻气体供给机构；

对所述处理腔室内进行排气的排气机构；

对所述下部电极施加第1频率的第1高频电力的第1高频电力供给机构；和

对所述下部电极施加比所述第1频率低的第2频率的第2高频电力的第2高频电力供给机构，

所述等离子体蚀刻装置具有控制部，该控制部进行控制使得：

连续交替地多次反复实施以下两个工序：

作为所述蚀刻气体，使用由O₂气体、CF₄气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和

作为所述蚀刻气体，使用由O₂和CF₄气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，

并且，对所述下部电极脉冲状地施加所述第1高频电力，

所述等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对所述被处理基板的金属层进行蚀刻。