[发明专利]用于制造半导体衬底的工艺以及所获得的半导体衬底

权利要求书

1.一种用于制造半导体衬底(1)的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：

-提供至少一个施主半导体衬底(2)，所述施主半导体衬底(2)包括至少一个有用硅层(3)；

-经由检验机(4)对所述施主衬底(2)进行检验，以检测有用层(3)是否包含尺寸大于或等于临界尺寸的形成的腔，所述临界尺寸严格小于44nm；以及

-如果就尺寸大于或等于所述临界尺寸的腔而言，所述施主衬底(2)的所述有用层(3)中的腔的密度或数量小于或等于临界缺陷密度或数量，则制造包括所述施主衬底(2)的所述有用层(3)的至少部分的半导体衬底(1)，

其中制造所述半导体衬底(1)包括以下步骤：

-形成与所述施主衬底(2)的所述有用层(3)接触的氧化层(8)；以及

-将所述有用层(3)的至少部分和所述氧化层(8)转移到接收方衬底(6)，在该转移之后所述接收方衬底(6)形成所述半导体衬底(1)；

并且其中将所述有用层(3)的至少部分和所述氧化层(8)转移到所述接收方衬底(6)包括以下步骤：

-通过将离子(11)引入到所述施主衬底(2)中，来在所述施主衬底(2)中建立弱带(10)；

-将所述施主衬底(2)与所述接收方衬底(6)接合；以及

-切割所述弱带(10)，以将所述施主衬底(2)与所述接收方衬底(6)分离。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中制造所述半导体衬底(1)的步骤包括以下步骤：

-将所述施主衬底(2)的所述有用层(3)的至少部分转移到接收方衬底(6)，所述部分具有300埃或更小的厚度，所述接收方衬底(6)利用该转移形成所述半导体衬底(1)。

3.根据权利要求1到2中的一项所述的工艺，其中所述临界缺陷数量在0与200之间。

4.根据权利要求1到2中的一项所述的工艺，其中经由所述检验机进行检验的步骤包括以下步骤：

-朝向所述施主衬底(2)发射激光束；以及

-检测由所述施主衬底(2)反射的激光束的光学特性的变化，以便检测从所述有用层(3)形成的腔，并且对所述腔的尺寸进行估计。

5.根据权利要求1到2中的一项所述的工艺，为连续制造多个半导体衬底，所述工艺包括以下步骤：

-提供多个施主半导体衬底(2)，每个所述施主半导体衬底(2)包括至少一个有用硅层(3)；

-检验所述多个施主衬底(2)，并就尺寸大于或等于临界尺寸的形成的腔而言，选择具有腔的密度或数量小于或等于临界缺陷数量或密度的那些施主衬底，所述临界尺寸严格小于44nm；以及

-制造多个半导体衬底(1)，每个所述半导体衬底(1)包括先前步骤中所选择的所述施主衬底(2)中的一个施主衬底(2)的有用层的至少部分。

6.根据权利要求1到2中的一项所述的工艺，其中所述制造步骤包括制造半导体衬底(1)，所述半导体衬底(1)包括：

-有用硅层(3)，其厚度为300埃或更小；

-氧化层(8)；以及

-支撑层(13)。