[发明专利]多晶硅棒的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅棒的制造方法，其为在反应器中配置硅芯线，向反应炉内供给含有硅烷化合物的原料气体，通过CVD法使多晶硅在由通电加热后的硅芯线上析出而制造直径为160mm以上的多晶硅棒的方法，其特征在于，

所述方法具备高频电流通电工序，该高频电流通电工序通过频率可变的高频电源，对所述多晶硅棒通电具有2kHz以上且不超过200kHz的频率的电流来进行加热，

该高频电流通电工序包括对串联连接的通过所述多晶硅的析出直径达到80mm以上的预定值D₀的多晶硅棒供给高频电流的工序，

在该高频电流的供给工序中，所述高频电流在所述多晶硅棒中流过时的趋肤深度在13.8mm以上且80.0mm以下的范围内，所述高频电流的频率根据所述多晶硅棒的表面温度变动来选择，

作为所述原料气体选择含有三氯甲硅烷的气体，将所述多晶硅棒的表面温度控制为900℃以上且1250℃以下，并且，在所述多晶硅棒的表面温度为1200℃的情况下将所述高频电流的频率设定为67.2kHz～2.0kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为1100℃的情况下将所述高频电流的频率设定为93.7kHz～2.8kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为1000℃的情况下将所述高频电流的频率设定为137.8kHz～4.1kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为950℃的情况下将所述高频电流的频率设定为171.1kHz～5.1kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为900℃的情况下将所述高频电流的频率设定为216.3kHz～6.4kHz，并且，最迟在所述多晶硅棒的直径达到130mm的阶段将所述原料气体中的三氯甲硅烷的主体浓度设定为20摩尔％以上且40摩尔％以下，使多晶硅析出。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

所述高频电流的频率的选择至少在两个频率间进行，

所述高频电流的供给工序包括如下工序：在以通电量一定的条件进行电流供给的状态下，在存在所述多晶硅棒的表面温度降低的可能性时，将所述高频电流的频率切换到低频率侧并且使所述通电量增加，从而维持所述多晶硅棒的表面温度。

3.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

所述高频电流的频率的选择至少在两个频率间进行，

所述高频电流的供给工序包括如下工序：在以通电量一定的条件进行电流供给的状态下，在存在所述多晶硅棒的表面温度降低的可能性时，维持所述通电量并且将所述高频电流的频率切换到高频率侧，从而维持所述多晶硅棒的表面温度。