[发明专利]具有高量子效率和稳定性的在基质中分散纳米颗粒的新材料和方法

权利要求书

1.生产在聚合物中嵌入发光纳米颗粒的固态聚合物的方法，该方法包含以下步骤：

(1) 混合(i)外表面覆盖有包含第一种官能团和第二种官能团的覆盖分子的发光纳米颗粒，和(ii)固态聚合物的前体，和

(2) 使形成固态聚合物，由此产生具有嵌入的纳米颗粒的固态聚合物；

其中第一种官能团配置成结合至量子点的外表面，其中第二种官能团具有一种或多种选自(a)可与所述固态聚合物的前体混溶和(b)能够与所述固态聚合物的前体反应的功能。

2.根据权利要求1的方法，其中覆盖分子包含两种覆盖分子，其中第一种覆盖分子的第一种官能团包含具有配位官能团的金属离子，和其中第二种覆盖分子的第一种官能团具有路易斯碱官能团。

3.根据权利要求2的方法，其中第一种覆盖分子的第二种官能团和第二种覆盖分子的第二种官能团相同。

4.根据权利要求1-3任一项的方法，其中所述固态聚合物的前体包含聚合时能够形成聚合物的单体。

5.根据权利要求1-3任一项的方法，其中所述固态聚合物的前体包含聚合物，和其中第一个方法元素包括(1)混合(i)外表面覆盖有包含第一种官能团和第二种官能团的覆盖分子的纳米颗粒，(ii)固态聚合物前体，和(iii)固态聚合物前体的溶剂。

6.根据在前权利要求任一项的方法，其中第二种官能团选自硅氧烷，苯乙烯和丙烯酸酯，和其中固态聚合物包含分别选自聚硅氧烷、聚苯乙烯和聚丙烯酸酯的聚合物。

7.根据在前权利要求任一项的方法，其中所述纳米颗粒选自CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe，HgZnTe，CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe和HgZnSTe。

8.发光聚合物制品，其包含在聚合物制品中嵌入发光纳米颗粒的固态聚合物，所述纳米颗粒外表面覆盖有包含第一种官能团和第二种官能团的覆盖分子。

9.根据权利要求8的聚合物制品，其中至少部分所述覆盖分子的至少部分第二种官能团与固态聚合物的聚合物链交织。

10.根据权利要求8-9任一项的聚合物制品，其中至少部分所述覆盖分子的第二种官能团属于固态聚合物的聚合物链的一部分。

11.根据权利要求8-10任一项的聚合物制品，其中所述覆盖分子包含两种覆盖分子，其中第一种覆盖分子的第一种官能团包含具有配位官能团的金属离子，和其中第二种覆盖分子的第一种官能团具有路易斯碱官能团，和其中第一种覆盖分子对第二种覆盖分子的摩尔比率为0.8-1.2。

12.根据在前权利要求8-11任一项的聚合物制品，其中第二种官能团选自硅氧烷，苯乙烯和丙烯酸酯，和其中固态聚合物包含分别选自聚硅氧烷、聚苯乙烯和聚丙烯酸酯的聚合物。

13.根据权利要求8-12任一项的聚合物制品，其中所述纳米颗粒选自CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe，HgZnTe，CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，和HgZnSTe，和其中聚合物制品选自覆盖层、自支支撑层和片，和其中聚合物制品透射波长为380-750 nm的光。

14.照明设备(5)，其包含(i)配置来产生光源光(21)的光源(20)，(ii)配置来将至少部分光源光转换成为转换器光(41)的光转换器(40)，其中该光转换器包含可根据权利要求1-7任一项的方法获得的固态聚合物或者根据权利要求8-13任一项的聚合物制品。

15.发光材料(30)，其包含多个纳米颗粒(100)，其中所述纳米颗粒(100)包含量子点颗粒(10)，该量子点颗粒包含覆盖有覆盖分子的外表面，其中该覆盖分子包含-[-Si(R)₂-O-]_n，n = 1-20，其中R选自甲基和苯基。