[发明专利]微细凹凸结构体、干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具有效

专利信息
申请号: 201380006584.7 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN104067171A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 三田村哲理 申请(专利权)人: 旭化成电子材料株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;B29C33/38;G03F7/40;H01L21/027
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 李晓
地址: 日本东京都千代田*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 微细 凹凸 结构 蚀刻 反应 型抗蚀剂 材料 模具 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微细凹凸结构体,其特征在于,具备蚀刻层,和设置于所述蚀刻层上的由干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料构成的抗蚀剂层,

与形成于所述抗蚀剂层中的开口部相对应的凹凸结构形成于蚀刻层中,

所述凹凸结构的微细图案的图案间距P为1nm以上10μm以下,

所述微细图案的图案深度H为1nm以上10μm以下,并且,所述微细图案的图案截面形状为梯形或三角形或者它们混合存在。

2.根据权利要求1所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述图案截面形状为如下形状:在构成所述凹凸结构的多个凹部中的任意1个中,该凹部的开口部与蚀刻层的上侧表面的边界线为2根线且该2根线相互不交叉时,将该2根线的一根上的1点和另一根上的1点且两者的距离最近者作为2个最高点,以包含该2个最高点的方式,将所述微细凹凸结构体沿所述蚀刻层的厚度方向切断,将切断时的截面中的、所述2个最高点、所述凹部的最低点仅为1个时的该1点、和所述凹部的最低点为2个以上时其中两者距离最远的2点以直线连接描绘而成的形状。

3.根据权利要求1所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述图案截面形状为如下形状:在构成所述凹凸结构的多个凹部中的任意1个中,所述凹部的开口部与蚀刻层的上侧表面的边界线为1根线且其两端连接闭合时,将该1根线上的2点且两者的距离最远者作为2个最高点,以包含该2个最高点的方式,将所述微细凹凸结构体沿所述蚀刻层的厚度方向切断,将切断时的截面中的、所述2个最高点、所述凹部的最低点仅为1个时的该1点、和所述凹部的最低点为2个以上时其中两者距离最远的2点以直线连接描绘而成的形状。

4.根据权利要求1所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述图案截面形状为如下形状:在构成所述凹凸结构的多个凸部中的任意1个中,在该凸部的最高点为1个的情况下,以包含该1个最高点的方式,或者,在该凸部的最高点为2个以上的情况下,所述蚀刻层的上侧表面与侧壁面的边界线为1根线且其两端连接闭合时,以包含该1根线上的2点且两者间隔最远的2个最高点的方式,将所述微细凹凸结构体沿所述蚀刻层的厚度方向切断,在切断时的截面中,将所述1个最高点或所述2个最高点、和所述凸部的最低点中两者距离最远的2点用直线连接描绘而成的形状。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述图案截面形状满足式(1)或式(2),

式(1)0<T0=B1<T1≤10μm

式(2)0≤B1<T0=T1<10μm

T0:干式蚀刻前的所述抗蚀剂层的开口部的宽度

T1:干式蚀刻后形成于所述蚀刻层的凹部的最高部侧的宽度

B1:干式蚀刻后形成于所述蚀刻层的凹部的最深部侧的宽度。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述图案间距P为1nm以上且1μm以下。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述微细图案满足所述式(1),且所述干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料以选自由Cu、Nb、Sn及Mn、它们的氧化物和氮化物以及NiBi所组成的组中的至少1种作为主要构成要素。

8.根据权利要求7所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料以Cu的氧化物作为主要构成要素。

9.根据权利要求5或权利要求6所述的微细凹凸结构体,其特征在于,所述微细图案满足所述式(2),且所述干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料以选自由Cr、Fe、Co、Al、Ga、In、Hf和Pb以及它们的氧化物和氮化物所组成的组中的至少1种作为主要构成要素。

10.根据权利要求9所述的微细凹凸结构体,其特征在于,在构成所述微细图案的多个凹部的侧面覆盖有氟系碳。

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