[发明专利]具有分布式光发射的有机发光二极场效应晶体管

权利要求书

1.电致发光的二极有机场效应晶体管，它具有带叠置层的结构，包括：

о门电极(G),

о叠置在所述门电极(G)上的介电层(Die)，

о叠置在所述介电层(Die)上的二极通道，它包括其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO-SCp和最低未占据分子轨道LUMO-SCp来确定的P-型半导体层(SCp)，其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO-SCn和最低未占据分子轨道LUMO-SCn来确定的N-型半导体层(SCn)，和在所述P-型半导体层(SCp)和所述N-型半导体层(SCn)之间插入的允许异号的载荷子重组而采用的发光层(R)；所述发光层(R)或者由其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO-R和最低未占据分子轨道LUMO-R来确定的单一材料组成，或者是由主体材料和一种或更多种客体材料组成的主-客体系组成，该主体材料具有通过它的最高占据分子轨道HOMO-H和最低未占据分子轨道LUMO-H确定的能带，该一种或更多种客体材料各自具有通过各自的最高占据分子轨道HOMO-G和最低未占据分子轨道LUMO-G确定的能带，

о适合于注射第一类型电荷的源电极(S)和适合于注射第二类型电荷的漏电极(D)，所述源电极(S)和漏电极(D)与所述P-型(SCp)或N-型(SCn)半导体层的相同层接触，所述半导体层的其他层(SCp；SCn)与介电层接触(Die)，

其特征在于

о在所述半导体层(SCn；SCp)之一和所述发光层(R)之间的界面处的有效的场效应迁移率值(m2)与在所述半导体层(SCp；SCn)的其他层和所述介电层(Die)之间的界面处的有效的场效应迁移率值(m1)之比的范围为0.05-20；

о在其中P-型半导体层(SCp)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由单一材料组成的情况下：

-HOMO-R和HOMO-SCn的能级之差为0.2 eV至1 eV，

-LUMO-R和LUMO-SCn的能级之差为0.2 eV至0.8 eV，

-HOMO-R和HOMO-SCp的能级之差为0 eV至0.5 eV，

-LUMO-R和LUMO-SCp的能级之差为-1 eV至0 eV；

о在其中N-型半导体层(SCn)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由单一材料组成的情况下：

-HOMO-R和HOMO-SCn的能级之差为0 eV至1 eV，

-LUMO-R和LUMO-SCn的能级之差为-0.5 eV至0 eV，

-HOMO-R和HOMO-SCp的能级之差为-0.2 eV至-0.8 eV，

-LUMO-R和LUMO-SCp的能级之差为-0.2 eV至-1 eV。

о在其中P-型半导体层(SCp)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由主-客体系组成的情况下：

-HOMO-H和HOMO-SCn的能级之差为0.2 eV至1 eV，

-LUMO-H和LUMO-SCn的能级之差为0.2 eV至3 eV，

-HOMO-H和HOMO-SCp的能级之差为0 eV至0.5 eV，

-LUMO-H和LUMO-SCp的能级之差为-1 eV至3 eV，和

对于所有客体材料来说：

-LUMO-G和LUMO-SCn的能级之差为0.3 eV至-1 eV，

-HOMO-G和HOMO-H的能级之差为0 eV至1 eV；

о在其中N-型半导体层(SCn)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由主-客体系组成的情况下：

-HOMO-H和HOMO-SCn的能级之差为-3 eV至1 eV，

-LUMO-H和LUMO-SCn的能级之差为-0.5 eV至0 eV，

-HOMO-H和HOMO-SCp的能级之差为-0.2 eV至-3 eV，

-LUMO-H和LUMO-SCp的能级之差为-0.2 eV至-1 eV，和

对于所有客体材料来说：

-HOMO-G和HOMO-SCp的能级之差为-0.3 eV至1 eV，

-LUMO-G和LUMO-H的能级之差为0 eV至-1 eV。

2.权利要求1的晶体管，其中在所述其他半导体层(SCn；SCp)和所述介电层(Die)之间的界面处的有效场效应迁移率值(m1)与在所述一层半导体层(SCp；SCn)和所述发光层(R)之间的界面处的有效场效应迁移率值(m2)之比的范围为0.7-1.3。