[发明专利]用于在多芯片模块中提供电容的设备及方法有效

专利信息
申请号: 201380006969.3 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN104081522B 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 蒂莫西·M·霍利斯 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L23/48;H01L23/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 芯片 模块 提供 电容 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种多芯片模块,其包括

信号分布组件,其经配置以提供电力供应电压;

电容芯片,其耦合到所述信号分布组件且具有多个电容单元,所述电容芯片经配置以为所述电力供应电压提供电容,其中所述多个电容单元由存储器单元电容器形成;及

集成电路芯片,其耦合到所述信号分布组件或所述电容芯片中的至少一者,其中所述集成电路芯片包括经配置以将存储器命令提供给存储器且进一步经配置以启用及停用所述多个电容单元中的一电容单元的控制器。

2.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述集成电路芯片经配置以接收所述电力供应电压。

3.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述电容芯片进一步包括经配置以调整所述电容的量值的控制器。

4.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述电容芯片为专用电容芯片。

5.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述电容芯片经配置以电容性地隔离所述集成电路芯片与所述信号分布组件。

6.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述电容芯片包括多个穿硅通孔。

7.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述电容芯片进一步包括:

第一电容芯片,其具有第一多个电容单元,其中所述第一多个电容单元经配置以提供第一电容;及

第二电容芯片,其耦合到所述第一电容芯片,所述第二电容芯片具有第二多个电容单元,其中所述第二多个电容单元经配置以提供第二电容,其中所述第二电容芯片包含多个通孔,所述多个通孔经配置以通过所述第二电容芯片耦合电力供应电压。

8.根据权利要求7所述的多芯片模块,其中所述第一电容芯片包括可编程电路。

9.根据权利要求8所述的多芯片模块,其中所述第一电容芯片进一步包括经配置以控制所述可编程电路以调整所述第一电容的控制器。

10.根据权利要求7所述的多芯片模块,其中所述第一与第二电容芯片通过多个裸片互连件耦合。

11.根据权利要求7所述的多芯片模块,其进一步包括:

集成电路芯片,其经配置以与外部控制器介接。

12.根据权利要求7所述的多芯片模块,其中所述第一及第二电容至少部分地基于相应电力供应电压的信号特性。

13.根据权利要求1所述的多芯片模块,其中所述电容芯片包括:

多个通孔,其经配置以将来自第一组裸片互连件的多个信号耦合到第二组裸片互连件;及

多个电容单元,其经配置以提供多个电容,其中所述多个通孔及所述多个电容单元以均匀分布布置。

14.根据权利要求13所述的多芯片模块,其中所述通孔包括穿硅通孔。

15.根据权利要求13所述的多芯片模块,其中所述多个电容单元进一步经配置以存储电荷且将电荷提供到以堆叠配置耦合到所述电容芯片的所述集成电路芯片。

16.根据权利要求13所述的多芯片模块,其中所述多个电容单元包括第一电容单元群组及第二电容单元群组,所述第一电容单元群组通过熔丝、反熔丝、开关或其组合耦合到所述第二电容单元群组。

17.一种多芯片模块,其包括:

集成电路芯片,其包含经配置以提供存储器命令的控制器;及

电容芯片,其包含耦合到所述集成电路芯片的电容单元群组,其中所述电容单元群组包括经配置以耦合到电力供应电压的多个电容单元,

其中所述电容芯片进一步包括经配置以将所述多个电容单元中的一电容单元与所述电力供应电压耦合及解耦的控制器。

18.根据权利要求17所述的多芯片模块,其中所述电容芯片为专用电容芯片。

19.根据权利要求17所述的多芯片模块,其中所述电容芯片包括多个通孔。

20.根据权利要求17所述的多芯片模块,其中所述电容芯片具有小于所述集成电路芯片的表面。

21.根据权利要求17所述的多芯片模块,其中所述电容单元群组的电容至少部分地基于所述电力供应电压的信号特性。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380006969.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top