[发明专利]脱模膜和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.脱模膜，它是在将半导体器件的半导体元件用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部的模具的腔面所配置的脱模膜，其特征在于，

按照JIS K 7127测定的132℃时的拉伸弹性模量为10～24MPa，

剥离力的最大值在0.8N/25mm以下。

2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，由氟树脂形成。

3.如权利要求2所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂是具有基于四氟乙烯的单元、基于乙烯的单元、基于除它们以外的第三单体的单元的共聚物。

4.如权利要求3所述的脱模膜，其特征在于，所述第三单体为(全氟丁基)乙烯。

5.如权利要求4所述的脱模膜，其特征在于，

所述共聚物是基于四氟乙烯的重复单元与基于乙烯的重复单元的摩尔比(四氟乙烯/乙烯)为80/20～40/60，基于(全氟丁基)乙烯的重复单元的比例在全部重复单元100摩尔％中为5～10摩尔％的共聚物。

6.半导体器件的制造方法，它是使用模具将半导体元件用固化性密封树脂密封来制造半导体器件的方法，

其特征在于，在模具的密封树脂接触的腔面配置按照JIS K 7127测定的132℃时的拉伸弹性模量为10～24MPa、且剥离力的最大值在0.8N/25mm以下的脱模膜，使所述密封树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化而形成树脂密封部。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为发光二极管，所述半导体元件为发光元件，所述树脂密封部为透镜部。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述透镜部的露出于外侧的部分的面积在56mm²以上。

9.如权利要求6～8中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，密封树脂为热固性树脂，使该密封树脂在与所述脱模膜接触的状态下热固化。

10.如权利要求6～9中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，使用模具形成树脂密封部的方法为压缩成形法。

11.如权利要求6～9中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，使用模具形成树脂密封部的方法为传递成形法。

12.半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述的工序(α1)～(α5)：

(α1)将权利要求1～5中的任一项所述的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序；

(α2)通过抽真空将所述脱模膜朝所述模具的腔面侧吸引的工序；

(α3)向所述腔内填充密封树脂的工序；

(α4)将半导体元件配置于所述腔内的规定位置，通过所述密封树脂密封所述半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序；

(α5)将所述半导体器件从所述模具内取出的工序。

13.半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述的工序(β1)～(β5)：

(β1)将权利要求1～5中的任一项所述的脱模膜以覆盖模具的腔的方式配置的工序；

(β2)通过抽真空将所述脱模膜朝所述模具的腔面侧吸引的工序；

(β3)将半导体元件配置于所述腔内的规定位置的工序；

(β4)向所述腔内填充密封树脂，通过该密封树脂密封所述半导体元件而形成树脂密封部，获得半导体器件的工序；

(β5)将所述半导体器件从所述模具内取出的工序。

14.如权利要求12或13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体器件为发光二极管，

所述半导体元件为发光元件，

所述树脂密封部为透镜部，

该透镜部的露出于外侧的部分的面积在56mm²以上。