[发明专利]银微粒及其制造方法以及含有该银微粒的导电性膏、导电性膜和电子设备

权利要求书

1.一种银微粒，其特征在于：

平均粒径(D_SEM)为30～100nm，振实密度为3.0g/cm³以上。

2.如权利要求1所述的银微粒，其特征在于：

BET比表面积值为7.0m²/g以下。

3.如权利要求1或2所述的银微粒，其特征在于：

微晶粒径(D_x)为30nm以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的银微粒，其特征在于：

银微粒表面的有机物残留量为0.5～2.0重量％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的银微粒，其特征在于：

240℃的热收缩率为2.0％以上。

6.一种包含权利要求1～5中任一项所述的银微粒的导电性膏。

7.一种使用权利要求6所述的导电性膏形成的导电性膜。

8.一种具有权利要求7所述的导电性膜的电子设备。

9.一种银微粒的制造方法，其特征在于：

使用硝酸银和高分子保护剂制备水溶液(A液)，与所述A液分别地制备溶解还原剂和低分子保护剂得到的水溶液(B液)，在所述A液中滴加所述B液，使其还原析出，得到银微粒，对得到的银微粒进行分离、清洗、干燥，在该银微粒的制造方法中，在所述A液中滴加所述B液时的混合溶液的温度控制在40℃以下，并且通过真空冻结干燥进行干燥工序。

10.如权利要求9所述的银微粒的制造方法，其特征在于：

真空冻结干燥前的含水物的含水率为30％以上。

11.如权利要求9或10所述的银微粒的制造方法，其特征在于：

得到的银微粒为权利要求1～5中任一项所述的银微粒。