[发明专利]包含具体含硫化合物和糖醇或多元羧酸的化学机械抛光后的清洗组合物

权利要求书

1.一种化学机械抛光后(CMP后)的清洗组合物，包含：

(A)硫脲、半胱氨酸或N-乙酰基半胱氨酸；

(B)赤藓醇、苏糖醇或其立体异构体或其混合物；和

(C)水，

其中所述化学机械抛光后的清洗组合物具有4至不大于7的pH值。

2.根据权利要求1的组合物，其中该组合物此外包含(D)至少一种金属螯合剂。

3.根据权利要求1的组合物，其中该组合物此外包含至少一种金属螯合剂(D)，其选自丙烷-1,2,3-三羧酸、柠檬酸、丁烷-1,2,3,4-四羧酸、戊烷-1,2,3,4,5-五羧酸、偏苯三甲酸、均苯三甲酸、均苯四甲酸、苯六甲酸和低聚和聚合多元羧酸。

4.根据权利要求1-3中任一项的组合物，其中该组合物此外包含(E)至少一种表面活性剂。

5.根据权利要求1-3中任一项的组合物，其中该组合物此外包含至少一种表面活性剂(E)，其选自：

(E1)两性非离子型水溶性或水分散性表面活性剂，其具有：

(e11)选自具有5至20个碳原子的支化烷基的至少一个疏水基；和

(e12)由氧乙烯单体单元组成的至少一个亲水基；

(E2)两性非离子型水溶性或水分散性表面活性剂，其具有：

(e21)选自具有5至20个碳原子的支化烷基的至少一个疏水基；和

(e22)选自包含以下单体单元的聚氧化烯基的至少一个亲水基：

(e221)氧乙烯单体单元；和

(e222)至少一种经取代的氧化烯单体单元，其中取代基选自烷基、环烷基、芳基、烷基-环烷基、烷基-芳基、环烷基-芳基和烷基-环烷基-芳基；所述(e22)的聚氧化烯基包含呈无规、交替、梯度和/或嵌段分布的单体单元(e221)和(e222)；和

(E3)两性非离子型水溶性或水分散性烷基多葡萄糖苷表面活性剂。

6.如权利要求1-5中任一项中所定义的CMP后清洗组合物在由用于制造微电子器件的半导体衬底的表面移除残余物和污染物中的用途。

7.根据权利要求6的用途，其中该残余物和污染物包含苯并三唑或其衍生物且其中该表面为含铜表面。

8.根据权利要求6的用途，其中该清洗组合物用于在化学机械抛光后由包含以下层的半导体衬底的表面移除残余物和污染物：

-包含铜或由其组成的导电层；

-由低k或超低k介电材料组成的电绝缘介电层；和

-包含钽、氮化钽、氮化钛、钴、镍、锰、钌、氮化钌、碳化钌或氮化钌钨或由其组成的阻挡层。

9.一种用于由半导体衬底制造微电子器件的方法，其包括通过使半导体衬底与如权利要求1-5中任一项中所定义的CMP后清洗组合物接触至少一次以由该半导体衬底的表面移除残余物和污染物的步骤。

10.根据权利要求9的方法，其中该残余物和污染物包含苯并三唑或其衍生物且其中该表面为含铜表面。

11.根据权利要求9的方法，其中半导体衬底包含：

-包含铜或由其组成的导电层；

-由低k或超低k介电材料组成的电绝缘介电层；和

-包含钽、氮化钽、氮化钛、钴、镍、锰、钌、氮化钌、碳化钌或氮化钌钨或由其组成的阻挡层。

12.一种化学机械抛光后(CMP后)的清洗组合物，其包含：

(A)半胱氨酸、N-乙酰基半胱氨酸或硫脲；

(L)马来酸/丙烯酸共聚物；和

(C)水性介质，

其中所述化学机械抛光后的清洗组合物具有4至不大于7的pH值。

13.根据权利要求12的组合物，其中(L)为具有至少20个羧酸基的马来酸/丙烯酸共聚物。