[发明专利]用于ALD/CVD含硅薄膜应用的有机硅烷前体

权利要求书

1.一种含Si薄膜形成前体，其具有下式：

其中R¹和R²可各自独立地为H、C1-C6烷基或C3-C20芳基或杂环基且R³可为H、C1-C6烷基、C3-C20芳基或杂环基、氨基、烷氧基或卤素。

2.根据权利要求1的含Si薄膜形成前体，其具有下式：

其中R¹和R²可各自独立地为C1-C6烷基。

3.根据权利要求2的含Si薄膜形成前体，其中分子为SiH₃(NⁱPr-amd)。

4.根据权利要求1的含Si薄膜形成前体，其具有下式：

其中R¹、R²、R³和R⁴可各自独立地为H、C1-C6烷基或C3-C20芳基或杂环。

5.根据权利要求1的含Si薄膜形成前体，其具有下式：

其中R¹、R²和R³可各自独立地为H、C1-C6烷基或C3-C20芳基或杂环。

6.根据权利要求1的含Si薄膜形成前体，其具有下式：

其中R¹和R²可各自独立地为H、C1-C6烷基或C3-C20芳基或杂环且X可为Cl、Br、I或F。

7.一种在基底上沉积含Si层的方法，所述方法包括：

将至少一种根据权利要求1-6中任一项的有机硅烷前体引入其中安置有至少一个基底的反应器中；

使用气相沉积法将至少一部分有机硅烷前体沉积至至少一个基底上以形成含Si层。

8.根据权利要求7的方法，其进一步包含向反应器中引入至少一种共反应物。

9.根据权利要求8的方法，其中共反应物选自：O₂、O₃、H₂O、H₂O₂、NO、NO₂、羧酸、其自由基及其组合，优选经等离子处理的氧气或臭氧。

10.根据权利要求8的方法，其中共反应物选自：H₂、NH₃、(SiH₃)₃N、氢化硅烷(如SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、Si₅H₁₀、Si₆H₁₂)、氯硅烷和氯聚硅烷(如SiHCl₃、SiH₂Cl₂、SiH₃Cl、Si₂Cl₆、Si₂HCl₅、Si₃Cl₈)、烷基硅烷(如Me₂SiH₂、Et₂SiH₂、MeSiH₃、EtSiH₃)、肼(如N₂H₄、MeHNNH₂、MeHNNHMe)、有机胺(如NMeH₂、NEtH₂、NMe₂H、NEt₂H、NMe₃、NEt₃、(SiMe₃)₂NH)、吡唑啉、吡啶、含B分子(如B₂H₆、9-硼双环[3,3,1]壬烷、三甲基硼、三乙基硼、硼吖嗪)、烷基金属(如三甲基铝、三乙基铝、二甲基锌、二乙基锌)、其自由基物质及其混合物。