[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成的栅极电极和第一透明电极；

在所述栅极电极和所述第一透明电极上形成的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成的氧化物半导体层；

与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和

与所述漏极电极电连接的第二透明电极，

所述氧化物半导体层的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠，所述第一透明电极的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述第二透明电极重叠，且所述氧化物半导体层和所述第二透明电极由相同的氧化物膜形成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述漏极电极形成在所述第二透明电极上，

所述第二透明电极与所述漏极电极直接接触。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二透明电极以比所述氧化物半导体层高的浓度含有杂质。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

还具有在所述栅极电极与所述基板之间形成的第二绝缘层，

所述第二绝缘层形成在所述第一透明电极上。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

还具有在所述栅极电极上形成的第二绝缘层，

所述第一透明电极形成在所述第二绝缘层上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

还具有在所述源极电极和所述漏极电极上形成的绝缘保护层，

所述绝缘保护层以与所述氧化物半导体层的沟道区域接触的方式形成，

所述绝缘保护层由氧化物形成。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一绝缘层包括氧化物绝缘层，

所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层接触。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物膜包含In、Ga和Zn。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备基板的工序(a)；

在所述基板上形成栅极电极和第一透明电极的工序(b)；

在所述栅极电极和所述第一透明电极上形成第一绝缘层的工序(c)；

在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体膜的工序(d)；

在所述氧化物半导体膜上形成源极电极和漏极电极的工序(e)；和

工序(f)，通过进行使所述氧化物半导体膜的一部分低电阻化的低电阻化处理，形成第二透明电极，并且形成由未被低电阻化的所述氧化物半导体膜的部分构成的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠，所述第二透明电极的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述第一透明电极的至少一部分重叠。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序(f)包括对所述氧化物半导体膜的所述一部分注入杂质的工序。

11.如权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序(b)包括：在所述基板上形成所述第一透明电极，并且在所述第一透明电极上形成第二绝缘层的工序；和在所述第二绝缘层上形成所述栅极电极的工序。

12.如权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序(b)包括：在所述基板上形成所述栅极电极的工序；在所述栅极电极上形成第二绝缘层的工序；和在所述第二绝缘层上形成所述第一透明电极的工序。

13.如权利要求9～12中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序(f)包括在进行所述低电阻化处理之前，形成保护所述氧化物半导体膜的沟道区域的保护层的工序(f2)。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

从所述基板的法线方向看时，所述保护层的端部与所述漏极电极重叠。

15.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O类的半导体。

16.如权利要求9～14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述氧化物半导体膜包含In-Ga-Zn-O类的半导体。