[发明专利]制造磷属元素化物吸收体膜和发射体膜之间导带偏移降低的光伏器件的方法

权利要求书

1.制造固态光伏异质结或其前体的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供磷属元素化物半导体膜；和

b.直接或间接在所述磷属元素化物半导体膜上形成硫属元素化物半导体膜，所述硫属元素化物半导体膜包含至少一种II族元素和至少一种VI族元素，并且其中至少与所述磷属元素化物半导体膜靠近的所述硫属元素化物半导体膜的部分掺入了至少一种调节剂，与没有或具有较少量的至少一种调节剂的在相同条件下形成的其他方面相同的硫属元素化物半导体膜组成相比，所述至少一种调节剂降低所述磷属元素化物半导体膜与所述硫属元素化物半导体膜之间的导带偏移。

2.权利要求1的方法，其中所述磷属元素化物半导体膜包含锌和磷。

3.权利要求1的方法，其中所述磷属元素化物半导体膜包含合金组合物。

4.权利要求3的方法，其中所述合金组合物靠近所述磷属元素化物半导体膜和所述硫属元素化物半导体膜之间的界面。

5.权利要求1的方法，其中所述磷属元素化物半导体膜包含Al、Ga、In、Tl、Sn和Pb的至少一种。

6.权利要求1的方法，其中所述磷属元素化物半导体膜包含B、F、S、Se、Te、C、O和H的至少一种。

7.权利要求1的方法，其中所述硫属元素化物半导体膜包含S和/或Se。

8.权利要求1的方法，其中所述硫属元素化物半导体膜包含Zn、S和Mg。

9.权利要求1的方法，其中所述硫属元素化物半导体膜包含Zn、S、Se和Mg。

10.权利要求1的方法，其中所述至少一种调节剂以使得所述磷属元素化物半导体膜和所述硫属元素化物半导体膜之间的导带偏移小于0.1eV的量使用。

11.权利要求1的方法，其中所述至少一种调节剂以有效达到所述磷属元素化物半导体膜和所述硫属元素化物半导体膜之间所期望的预先确定的导带偏移的量使用。

12.权利要求1的方法，其中所述至少一种调节剂选自Mg、Ca、Be、Li、Cu、Na、K、Sr、Sn和/或F的一种或多种。.

13.权利要求1的方法，其中所述至少一种调切剂选自Mg、Ca、Be、Sr、Sn和/或F的一种或多种。.

14.权利要求1的方法，其中所述至少一种调节剂包含Mg。

15.权利要求1的方法，其中所述硫属元素化物半导体膜包括含有1至80原子％的所述至少一种调节剂的部分。

16.权利要求15的方法，其中所述至少一种调节剂被掺入与所述磷属元素化物半导体膜靠近的所述硫属元素化物半导体膜的部分中。

17.权利要求15的方法，其中所述至少一种调节剂以1至80原子％的平均含量被掺入整个所述硫属元素化物半导体膜中。

18.制造固态光伏异质结或其前体的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供p-型磷属元素化物半导体膜；和

b.直接或间接在所述p-型磷属元素化物半导体膜上形成n-型半导体膜，所述形成包括以下步骤：

i.加热包含至少一种II族元素和至少一种VI族元素的化合物以产生蒸气物质；

ii.将所述蒸气物质或其衍生物直接或间接沉积到所述p-型磷属元素化物半导体膜上；和

iii.在沉积所述n-型半导体膜的至少一部分时间期间，在使得至少与所述p-型磷属元素化物半导体膜靠近的所形成的n-型半导体膜的部分掺入Mg和/或Ca中的至少一种的条件下共沉积Mg和Ca的至少一种。

19.光伏器件，其包含：

(a)包含至少一种p-型磷属元素化物半导体组成的p-型区；和

(b)直接或间接提供在所述吸收体区上的n-型区，所述n-型区包含至少一种II族元素和至少一种VI族元素，并且其中至少与所述p-型吸收体区靠近的所述n-型区的部分掺入了Mg和/或Ca中的至少一种。