[发明专利]垂直共振腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直共振腔面发射激光器，以层结构具备：

活性层，其具备量子阱；

第一包层以及第二包层，它们夹着该活性层；

第一多层膜反射层，其配置于所述第一包层的与所述活性层相反侧；

第二多层膜反射层，其配置于所述第二包层的与所述活性层相反侧；

第一电极，其连接于所述第一多层膜反射层的所述第一包层；以及

第二电极，其连接于所述第二多层膜反射层的所述第二包层，其中，

所述第一包层由Al组分比高的高活性能量层和Al组分比低的低活性能量层构成，

所述第二包层由Al组分比高的高活性能量层和Al组分比低的低活性能量层构成，

所述活性层、所述第一包层、所述第二包层、所述第一多层膜反射层以及所述第二多层膜反射层由AlGaAs材料构成，

所述低活性能量层成为比用于形成所述活性层的所述量子阱的锁光层的Al组分比率低且比所述量子阱的Al组分比率高的Al组分比率，

所述高活性能量层成为比用于形成所述活性层的所述量子阱的锁光层的Al组分比率高的Al组分比率。

2.根据权利要求1所述的垂直共振腔面发射激光器，其中，

在所述第二包层与所述第二多层膜反射层之间具备Al组分比率比所述第二多层膜反射层高的氧化狭窄层。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的垂直共振腔面发射激光器，其中，

所述第二包层的所述低活性能量层形成于所述第二包层的与所述活性层相反侧的端部。

4.根据权利要求1所述的垂直共振腔面发射激光器，其中，

还具备支承用的基板，该支承用的基板配置在所述第一多层膜反射层的与所述第一包层相反侧，

形成于所述第一包层的所述低活性能量层的Al组分比率比形成于所述第二包层的所述低活性能量层的Al组分比率低。

5.根据权利要求4所述的垂直共振腔面发射激光器，其中，

所述活性层具备多个量子阱，

所述第一包层的所述低活性能量层的Al组分比率比所述多个量子阱间的障壁层的组成比率低。

6.根据权利要求5所述的垂直共振腔面发射激光器，其中，

所述第一包层的所述低活性能量层的Al组分比率以及所述第二包层的所述低活性能量层的Al组分比率比所述障壁层的Al组分比率低。