[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成的栅极电极；

在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；

与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；

与所述漏极电极电连接的第一透明电极；

在所述源极电极和所述漏极电极上形成的电介质层；和

在所述电介质层上形成的第二透明电极，

所述第二透明电极的至少一部分隔着所述电介质层与所述第一透明电极重叠，

所述第一透明电极的上表面和下表面中的至少一个与具有将所述氧化物半导体层所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层接触，

所述还原绝缘层不与所述氧化物半导体层的沟道区域接触，

所述氧化物半导体层和所述第一透明电极由相同的氧化物膜形成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述电介质层具有所述还原绝缘层和与所述氧化物半导体层的沟道区域接触的氧化物绝缘层。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述栅极绝缘层具有所述还原绝缘层和与所述氧化物半导体层的下表面接触的氧化物绝缘层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述漏极电极形成在所述第一透明电极上，

所述第一透明电极与所述漏极电极直接接触。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

从所述基板的法线方向看时，

所述还原绝缘层的端部与所述漏极电极重叠。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物膜包含In、Ga和Zn。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备基板的工序(a)；

在基板上形成栅极电极和栅极绝缘层的工序(b)；

在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体膜的工序(c)；

在所述氧化物半导体膜上形成源极电极和漏极电极的工序(d)；

在所述源极电极和所述漏极电极上形成电介质层的工序(e)；

工序(f)，在所述工序(c)之前或之后形成与所述氧化物半导体膜的一部分接触、且具有将所述氧化物半导体膜的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层，由此在所述氧化物半导体膜中与所述还原绝缘层接触的部分形成第一透明电极、在未被还原的部分形成氧化物半导体层；和

工序(g)，在所述电介质层上形成第二透明电极，所述第二透明电极的至少一部分隔着所述电介质层与所述第一透明电极重叠。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序(f)包括在所述工序(b)中。

9.如权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工序(f)包括在所述工序(e)中。

10.如权利要求7～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述电介质层和所述栅极绝缘层中的至少一个包括氧化物绝缘层，

所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层接触。

11.如权利要求7～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

从所述基板的法线方向看时，

所述还原绝缘层的端部与所述漏极电极重叠。

12.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O类的半导体。

13.如权利要求7～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述氧化物半导体膜包含In-Ga-Zn-O类的半导体。