[发明专利]硅外延晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201380007643.2 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104106126A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 吉田知佐;樫野久寿 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅外延晶片的制造方法，其特征在于，
在通过掺杂砷而使电阻率为1.0～1.7mΩcm，并进一步掺杂碳、或氮、或碳和氮而制造的N型单晶硅晶片上形成硅外延层。
2.根据权利要求1所述的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，
在上述N型单晶硅晶片掺杂碳时，将所掺杂的碳的浓度设为0.2～5ppma。
3.根据权利要求1或2所述的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，
在上述N型单晶硅晶片掺杂氮时，将所掺杂的氮的浓度设为1×1013～2×1014atoms/cm3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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