[发明专利]使用可转移的再分布层制造再分布的晶片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子装置领域，并且更特别地，涉及用于制造具有再分布层(redistribution layer，RDL)的电子装置的方法。

背景技术

传统的半导体装置封装体(semiconductor device package)典型地是多层结构。传统的半导体装置封装体例如可包括：密封材料的底层、载体、半导体管芯和密封材料的顶层。除了位于半导体管芯和载体的上方和下方，传统的半导体装置封装体的密封材料还可以在侧面包围半导体装置和载体。另外，传统的半导体装置封装体典型地包括便于其半导体装置和外部电子部件的电连接的输入/输出元件。

引线是传统的输入/输出元件的示例。引线典型地对传统的半导体装置封装体的占地面积(footprint)的尺寸有贡献，并因此在半导体装置封装体要被固定和电连接于其的基板(例如，电路板)上消耗不希望地大量的基板面(real estate)。

这种输入/输出元件的其他示例包括对传统的半导体装置封装体的高度有贡献的引脚、焊球或其他分立的导电结构(例如，凸块(bump)、球状物、柱状物等)。当与传统的密封剂和载体给予传统半导体装置封装体的总厚度的厚度相结合时，这种分立的导电结构的增加的高度可导致如下的半导体装置封装体：该半导体装置封装体将从该半导体装置封装体被固定和电连接于其的载体基板突出不希望地大的距离。

为了跟上朝着不断减少电子装置的尺寸的趋势，已经开发出各种技术以减少封装的半导体装置的尺寸。这些技术中的许多技术的结果是“芯片尺寸封装”(chip-scale package,CSP)，即封装的半导体装置的横向尺寸与其半导体管芯的相应横向尺寸大致相同(即，稍微大于其半导体管芯的相应横向尺寸)。

由于CSP的相对小的、依赖半导体管芯的横向尺寸，它们经常在所谓的“晶片尺寸(wafer-scale)”处形成，意味着封装在将半导体装置从晶片或其他大尺寸的基板分离之前发生。在晶片尺寸处封装半导体装置避免了否则可能与在其芯片尺寸封装期间处理这样小的部件相关联的困难。

这种晶片尺寸封装可包括再分布层(RDL)的形成，所述再分布层可以将在半导体装置的有源表面上的接合焊盘(bond pad)的连接图案重新布置或有效地扩展为更适合连接到基板的再分布的连接图案。

Choi等人在美国专利7728437号中公开了包括RDL的半导体装置。Choi公开了包括以等于或大于最小节距的间隔布置的端子的半导体封装体。该半导体封装体包括具有上面形成有多个凸块的底表面的半导体芯片，其中在半导体芯片下面形成再分布层图案。每个再分布层包括被电连接到凸块中的至少一个的第一部分、以及被电连接到第一部分的第二部分。密封层包围至少半导体芯片的顶表面，并且被图案化的绝缘层在再分布层图案的下方形成并暴露再分布层图案的第二部分的至少部分。

然而，仍希望制造具有再分布层的电子装置的方法的进一步发展。

发明内容

鉴于前面的背景，因此本发明的一个目的是提供将初始形成在临时基板上的再分布层转移到包含多个电子装置的晶片的方法。

由制造再分布的电子装置的方法提供根据本发明的这个和其他的目的、特征和优点，所述制造再分布的电子装置的方法包括提供包含多个电子装置的晶片，每个电子装置具有接触区图案。为了帮助本发明的描述，该接触区图案将被称为管芯焊盘(die pad)。

该方法包括在临时基板上形成再分布层。再分布层包含被称为晶片接合焊盘(wafer bonding pad)的接触区图案，所述晶片接合焊盘与之前提及的晶片的管芯焊盘相匹配，被耦接到被称为再分布焊盘(redistributed pad)的不同的接触区图案。电子装置的晶片的管芯焊盘被耦接到包含再分布层的临时晶片的晶片接合焊盘。然后去除临时基板，暴露再分布焊盘。

另外，晶片和再分布层可在去除临时基板后被分割成多个再分布的电子装置。可替代地，晶片和再分布层可在去除临时基板前被分割成多个再分布的电子装置。分割之后，然后从每个再分布的电子装置去除临时基板。临时基板的尺寸与包含多个电子装置的晶片的尺寸相对应。

分离地形成晶片和再分布层尤其有利，因为在形成晶片或再分布层时的错误不会导致另一个的损坏，如典型地发生在再分布层直接在晶片上形成的现有技术方法中的。