[发明专利]用于光学相干断层摄影的柔性波导

权利要求书

1.一种用于对样品进行深度分辨成像的光学相干断层摄影系统，包括：

结合到半导体材料层的柔性材料的衬底，其中对所述半导体材料层图案化以形成多个波导，并且其中所述衬底被弯折；

设置于所述多个波导的远端的光学元件；

一个或多个干涉仪，其被配置成组合基准光与由经弯折的衬底上的所述多个波导的至少一部分接收的光以利用光学相干断层摄影分辨来自所述样品的给定深度的贡献；以及

耦合于经弯折的衬底上的所述多个波导和所述一个或多个干涉仪之间的光引导元件。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底为聚合物。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述聚合物为PDMS。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述聚合物为聚对二甲苯。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底为柔性半导体。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个波导由硅、砷化镓、磷化铟和聚合物中的至少一种构成。

7.根据权利要求1所述的系统，还包括光学复用器，其被配置成将来自所述光引导元件的光的路径切换到所述多个波导中的一个或多个。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底被配置成卷绕成基本圆柱形形状。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述衬底设置于基本圆柱形外壳之内。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述光学元件包括一个或多个反射镜。

11.根据权利要求1所述的系统，其中所述光学元件包括一个或多个透镜。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述一个或多个透镜中的至少一个是梯度折射率透镜。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述光引导元件是光纤。

14.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个波导包括单模波导。

15.一种用于对样品进行深度分辨成像的光学相干断层摄影系统，包括：

结合到半导体材料层的柔性材料的衬底，其中对所述半导体材料层图案化以形成多个波导，并且其中所述衬底被弯折；

设置于所述多个波导的远端的光学元件；

一个或多个干涉仪，其被配置成组合基准光与由经弯折的衬底上的所述多个波导的至少一部分接收的光以利用光学相干断层摄影分辨来自所述样品的多个深度的贡献；以及

耦合于经弯折的衬底上的所述多个波导和所述一个或多个干涉仪之间的光引导元件。

16.根据权利要求15所述的系统，还包括光学复用器，其被配置成将来自所述光引导元件的光的路径切换到所述多个波导中的一个或多个。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述衬底被配置成卷绕成基本圆柱形形状。

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述衬底设置于基本圆柱形外壳之内。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述多个波导包括单模波导。

20.一种制造光学相干断层摄影系统的方法，包括：

将半导体材料层结合到柔性材料层；

将所述半导体材料层减薄到小于10微米的厚度；

对所述半导体材料层进行图案化以形成结合到所述柔性材料层的多个波导；

弯折结合了所述多个波导的所述柔性材料层；以及

将弯折的柔性材料上的所述多个波导耦合到用于执行光学相干断层摄影的一个或多个干涉仪。

21.一种制造光学相干断层摄影系统的方法，包括：

对SOI晶片的器件层中的半导体材料层图案化以形成多个波导，其中所述SOI晶片包括：

器件层，

掩埋氧化物层，以及

基板层；

在所述器件层中形成的所述多个波导上方沉积第一柔性材料层；

蚀刻所述SOI晶片的所述基板层以基本去除所述基板层；

蚀刻所述SOI晶片的所述掩埋氧化物层以基本去除所述掩埋氧化物层；

在所述多个波导上方沉积第二柔性材料层，从而在所述第一和第二柔性材料层之间夹置所述多个波导，以形成柔性光学线路；

弯折所述柔性光学线路；以及

将弯折的柔性光学线路上的所述多个波导耦合到用于执行光学相干断层摄影的一个或多个干涉仪。