[发明专利]R-T-B-Ga系磁体用原料合金及其制造方法有效
| 申请号： | 201380008046.1 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN104114305B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 佐口明彦;祢宜教之;米村光治 | 申请（专利权）人： | 和歌山稀土株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本和*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ga 磁体 原料 合金 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种R-T-B-Ga系磁体用原料合金，其特征在于，其为R-T-B-Ga系磁体用原料合金，其中，R为包含Y的稀土元素之中的至少1种，T是以Fe为必须的1种以上过渡元素，
该R-T-B-Ga系磁体用原料合金包含作为主相的R2T14B相和浓缩有R的富R相，
所述富R相内的非晶相中的Ga含有率(质量％)高于所述富R相内的结晶相中的Ga含有率(质量％)。
2.根据权利要求1所述的R-T-B-Ga系磁体用原料合金，其特征在于，所述R-T-B-Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。
3.一种R-T-B-Ga系磁体原料用合金的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1或2所述的R-T-B-Ga系磁体用原料合金的方法，具备如下工序：
在减压下或非活性气体气氛下，利用薄带连铸法由R-T-B-Ga系合金熔液铸造合金带，将该合金带破碎而得到合金片的第一工序；以及，在将所述合金片以规定温度保持规定时间而保热后，进行冷却的第二工序，
在所述第二工序中，使保热温度为650℃以上且所述合金的熔点温度以下，并且在保热后以1～9℃/秒的冷却速度至少冷却至400℃。
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