[发明专利]基片处理系统有效
申请号: | 201380008076.2 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN104115264B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | J·迈;M·克尔 | 申请(专利权)人: | 梅耶博格(德国)股份公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 王小东 |
地址: | 德国霍恩施泰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
1.一种基片处理设备(1,1A…1N),该基片处理设备包括:
至少一个基片加载和卸载区域(2),其用于将至少一个基片(3)加载到所述基片处理设备(1)以及从所述基片处理设备(1)卸载至少一个基片(3),
能够抽空的至少一个处理室(5),
至少一个承载装置(7),利用该承载装置,能够借助于至少一个载体运输区域(9)中的至少一个载体运输装置(8)将所述至少一个基片(3)运输到所述至少一个处理室(5),以及
位于所述至少一个处理室(5)与所述载体运输区域(9)之间的至少一个气密式封闭装置(10),以及位于所述基片加载和卸载区域(2)与所述载体运输区域(9)之间的至少一个气密式封闭装置(10),
其特征在于,
所述基片加载和卸载区域(2)与所述载体运输区域(9)由基片转载区域(11)来联接,该基片转载区域具有至少一个基片转载装置(12),该基片转载装置用于将所述至少一个基片(3)从能够设置在所述基片加载和卸载区域(2)中的至少一个基片盒(13)转载到所述至少一个承载装置(7)上,在所述基片盒中,基片(3)能够布置在所述基片盒(13)的不同的水平盒平面中,利用所述承载装置能够将所述至少一个基片(3)保持在水平的承载平面中,其中,所述基片转载区域(11)能够相对于所述基片加载和卸载区域(2)气密地封闭。
2.根据权利要求1所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片转载区域(11)能够用惰性气体来填充。
3.根据权利要求1或2所述的基片处理设备,其特征在于,所述承载装置(7)在承载平面内具有布置在基片承载行与基片承载列中的基片簇,并且所述承载装置(7)能够在基片承载行方向(X)和/或基片承载列方向(Y)上移动。
4.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述载体运输装置(8)具有辊运输系统。
5.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片转载装置(12)在所述载体运输区域(9)上具有平行于所述承载装置(7)设置的基片存放平面,能够将基片(3)从该基片存放平面以成行或成列的方式全面地填充在所述承载装置(7)中。
6.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片转载装置(12)具有至少一个转载桥(16)或转载臂,该转载桥或转载臂平行于所述承载装置(7)的至少一个基片承载行或基片承载列延伸,以便将至少一个基片(3)加载到所述基片承载行或基片承载列或者从所述基片承载行或基片承载列卸载至少一个基片(3)。
7.根据权利要求6所述的基片处理设备,其特征在于,所述转载桥(16)或所述转载臂能够沿基片承载列方向和/或沿基片承载行方向移动,以便对所述承载装置(7)的其它基片承载行或基片承载列进行加载或卸载。
8.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片转载装置(12)具有至少一个非接触式基片操作装置(17)。
9.根据权利要求8所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片操作装置(17)是超音波辅助的。
10.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片盒(13)借助于所述基片转载装置(12)与升降系统相联接,以便相应地取出和放回最上部的基片(3)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片处理设备(1)具有至少两个承载装置平面,其中,位于所述承载装置平面中的承载装置(7)能够彼此独立地移动。
12.根据权利要求11所述的基片处理设备,其特征在于,在所述承载装置平面中的至少两个承载装置平面之间设置有承载装置升降机(28),利用该承载装置升降机能够将至少一个承载装置(7)带到另一承载装置平面中。
13.根据前述权利要求中任一项所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片处理设备(1,1A…1N)具有至少两个处理室(5),所述至少两个处理室与所述载体运输区域(9)相联接并且是彼此上下布置的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造