[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT在审
| 申请号： | 201380008194.3 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104094372A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 谢泉隆;俞钢 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/62 | 分类号： | H01J1/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张焕生;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双重 对准 金属 氧化物 tft | ||
【权利要求书】：
1.一种包括至少一个双重自对准金属氧化物TFT的薄膜电子电路。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个双重自对准金属氧化物TFT并入有源矩阵液晶显示器。
3.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个双重自对准金属氧化物TFT并入发光二极管显示器。
4.根据权利要求3所述的电子电路，其中所述发光显示元件包括无机发射体材料。
5.根据权利要求3所述的电子电路，其中所述发光显示元件包括有机发射体材料。
6.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个双重自对准金属氧化物TFT并入图像传感器阵列。
7.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个双重自对准金属氧化物TFT并入生物传感器阵列。
8.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个双重自对准金属氧化物TFT并入压力传感阵列或触摸传感阵列之一。
9.一种形成薄膜电子电路的方法，包括步骤：
制造至少一个双重自对准金属氧化物TFT；以及
把所述至少一个双重自对准金属氧化物TFT并入有源矩阵液晶显示器、发光二极管显示器、图像传感器阵列、生物传感器阵列以及压力传感或触摸传感阵列之一。
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