[发明专利]无机聚硅氮烷树脂有效
| 申请号： | 201380008388.3 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN104114483B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 藤原嵩士;R·格罗特穆勒;神田崇;长原达郎 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 卢森堡(L-1*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机 聚硅氮烷 树脂 | ||
1.一种无机聚硅氮烷树脂，其特征在于，所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.40以上，所述无机聚硅氮烷树脂包含三个键都与硅结合的3官能氮原子作为重复单元，并且所述无机聚硅氮烷树脂的苯乙烯换算重均分子量为1,200～20,000其中，所述无机聚硅氮烷树脂通过将同时包含Si-NH与Si-Cl的无机聚硅氮烷化合物加热，使NH与Cl进行反应从而获得。
2.根据权利要求1所述的无机聚硅氮烷树脂，其特征在于，所述加热在催化剂的存在下进行。
3.根据权利要求2所述的无机聚硅氮烷树脂，其特征在于，所述催化剂为叔胺。
4.根据权利要求1所述的无机聚硅氮烷树脂，其特征在于，所述无机聚硅氮烷树脂通过合成不残留Si-Cl键的硅氮烷低聚物或者聚合物，向其中加入卤代硅烷而进行热反应从而获得。
5.根据权利要求4所述的无机聚硅氮烷树脂，其特征在于，所述卤代硅烷是二卤代硅烷。
6.一种涂布组合物，其含有权利要求1～5中任一项所述的无机聚硅氮烷树脂。
7.一种硅质膜的形成方法，其特征在于，将权利要求6所述的涂布组合物涂布于基板，进行干燥，然后在加热了的状态下与水蒸气接触从而氧化。
8.一种硅质膜的形成方法，其特征在于，将权利要求6所述的涂布组合物涂布于基板，进行干燥，然后在加热了的状态下与过氧化氢蒸气以及水蒸气接触从而氧化。
9.一种硅质膜，其通过权利要求7或8所述的硅质膜的形成方法而形成。
10.根据权利要求9所述的硅质膜，其特征在于，膜的收缩量为15％以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AZ电子材料(卢森堡)有限公司，未经AZ电子材料(卢森堡)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380008388.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
